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IPI50CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 |
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IPI35CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 |
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IPI26CNE8N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 26,0 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPI26CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 26,0 mOhm; RDS (ein) (max. |
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IPI16CNE8N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,5 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPI16CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,5 mOhm; RDS (ein) (max. |
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IPI14N03LA |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 MULTI DVI DAISY CHAINABLE RECEIVER -FIBER |
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IPI12CNE8N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,6 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPI12CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,9 mOhm; RDS (ein) (max. |
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IPI11N03LA |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 |
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IPI09N03LA |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 |
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IPI08CNE8N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,5 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPI08CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,5 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPI06N03LA |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: P-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( |
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IPI06CNE8N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,5 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPI06CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,5 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPI05N03LA |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: P-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,9 mOhm; RDS (ein) (max.) ( |
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IPI05CNE8N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,4 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPI05CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,4 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPI04N03LA |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: P-TO262-3; Gehäuse: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( |
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