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IPU05N03LA	INFINEON	10+	25.0 V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor	æåºå	è ̄¢ä»·
IPU04N03LB	INFINEON	10+	25.0 V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor	æåºå	è ̄¢ä»·
IPU04N03LA	INFINEON	10+	25.0 V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor	æåºå	è ̄¢ä»·
IPU039N03L	INFINEON	10+	30.0 V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor	æåºå	è ̄¢ä»·
IPSH9N03LA	INFINEON	10+	25.0 V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor	æåºå	è ̄¢ä»·
IPSH6N03LB	INFINEON	10+	30V Nééåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor	æåºå	è ̄¢ä»·
IPSH6N03LA	INFINEON	10+	Næ²éåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,2 mOhm; RDS (ein) (	æåºå	è ̄¢ä»·
IPSH5N03LA	INFINEON	10+	Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor	æåºå	è ̄¢ä»·
IPSH4N03LA	INFINEON	10+	Næ²éåºæåºç®¡ OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR	æåºå	è ̄¢ä»·
IPS13N03LA	INFINEON	10+	Næ²éåºæåºç®¡	æåºå	è ̄¢ä»·
IPS10N03LA	INFINEON	10+	Næ²éåºæåºç®¡	æåºå	è ̄¢ä»·
IPS09N03LB	INFINEON	10+	Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RDS (ein)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPS090N03L	INFINEON	10+	Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RDS (ein)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPS060N03L	INFINEON	10+	Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,0 mOhm; RDS (ein)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPS05N03LB	INFINEON	10+	Næ²éåºæåºç®¡ RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL	æåºå	è ̄¢ä»·
IPS05N03LA	INFINEON	10+	Næ²éåºæåºç®¡ RESISTOR CER 7.5K OHM 5W RADIAL	æåºå	è ̄¢ä»·
IPS04N03LB	INFINEON	10+	Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,4 mOhm; RDS (ein)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPS04N03LA	INFINEON	10+	Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,4 mOhm; RDS (ein)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPS03N03LB	INFINEON	10+	Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,4 mOhm; RDS (ein)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPS03N03LA	INFINEON	10+	Næ²éåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK SL (TO-251 SL); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,4 mOhm; RDS (ein)	æåºå	è ̄¢ä»·