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BSC082N10LSG	INFINEON	2011+	Nééï1/4100.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,2 mOhm; RD	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC020N03LSG	INFINEON	2011+	Nééï1/430.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC020N03MSG	INFINEON	2011+	Nééï1/430.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC022N03SG	INFINEON	2011+	Nééï1/430.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC025N03LSG	INFINEON	2011+	Nééï1/430.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC025N03MSG	INFINEON	2011+	Nééï1/430.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC027N03SG	INFINEON	2011+	Nééï1/4 åºæåºç®¡	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC079N10NSG	INFINEON	2011+	Nééï1/4100V 100 A åºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,9 mOhm; RDS (ein)	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC060N10NS3G	INFINEON	2011+	Nééï1/4100V 90 A åºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,0 mOhm; RDS (ein)	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC030N03MSG	INFINEON	10+	30,0 V 100,0 A N-Kanal-MOSFETs® (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm;	æåºå	è ̄¢ä»·
SUP90N06	INFINEON	10+	Néé åçåºæåºç®¡N-Kanal 60-V (D-S) 175 C MOSFET	æåºå	è ̄¢ä»·
STB60NF60LT4	INFINEON	10+	Néé åçåºæåºç®¡	æåºå	è ̄¢ä»·
SPU30N03S2L-10	INFINEON	10+	30,0 V 30,0 A Néé åçåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK (TO-251); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,2 mO	æåºå	è ̄¢ä»·
SPU30N03S2-08	INFINEON	10+	30,0 V 30,0 A Néé åçåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20 V â bis 250 V); Gehäuse: PG-TO251-3; Gehäuse: IPAK (TO-251); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,2 mO	æåºå	è ̄¢ä»·
SPU11N10	INFINEON	10+	Néé åçåºæåºç®¡ SIPMOS Power-Transistor	æåºå	è ̄¢ä»·
SPP80N10L	INFINEON	10+	Néé åçåºæåºç®¡ SIPMOS Power-Transistor	æåºå	è ̄¢ä»·
SPP35N10	INFINEON	10+	Néé åçåºæåºç®¡ SIPMOS Power-Transistor	æåºå	è ̄¢ä»·
SPP21N10	INFINEON	10+	Néé åçåºæåºç®¡ SIPMOS Power-Transistor	æåºå	è ̄¢ä»·
SPP10N10	INFINEON	10+	Néé åçåºæåºç®¡ CAP 1000PF 100V 5% NP0(C0G) DIP-2 TUBE-PAK R-MIL-PRF-39014/22	æåºå	è ̄¢ä»·
SPI80N10L	INFINEON	10+	Néé åçåºæåºç®¡	æåºå	è ̄¢ä»·