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IPP80N03S4L IPP80N03S4L INFINEON 10+ Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor æåºå è ̄¢ä»·
IPP80CN10N IPP80CN10N INFINEON 10+ Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor æåºå è ̄¢ä»·
IPP50CN10N IPP50CN10N INFINEON 10+ Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor æåºå è ̄¢ä»·
IPP35CN10N IPP35CN10N INFINEON 10+ Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor æåºå è ̄¢ä»·
IPP26CNE8N IPP26CNE8N INFINEON 10+ Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor æåºå è ̄¢ä»·
IPP26CN10N IPP26CN10N INFINEON 10+ Næ²éåºæåºç®¡ OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor æåºå è ̄¢ä»·
IPP16CNE8N IPP16CNE8N INFINEON 10+ Næ²éåºæåºç®¡ MULTI DVI TRANSMITTER MULTIMODE -FIBER æåºå è ̄¢ä»·
IPP16CN10N IPP16CN10N INFINEON 10+ Næ²éåºæåºç®¡ MULTI DVI TRANSMITTER MULTIMODE -FIBER æåºå è ̄¢ä»·
IPP14N03LA IPP14N03LA INFINEON 10+ Næ²éåºæåºç®¡ MULTI DVI TRANSMITTER MULTIMODE -FIBER æåºå è ̄¢ä»·
IPP147N03L IPP147N03L INFINEON 10+ Næ²éåºæåºç®¡ æåºå è ̄¢ä»·
IPP13N03LB IPP13N03LB INFINEON 10+ Næ²éåºæåºç®¡ æåºå è ̄¢ä»·
IPP12CNE8N IPP12CNE8N INFINEON 2010+ åçæ¶ä1/2管 OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor æåºå è ̄¢ä»·
IPP12CN10N IPP12CN10N INFINEON 2010+ åçæ¶ä1/2管 OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor æåºå è ̄¢ä»·
IPP11N03LA IPP11N03LA INFINEON 2010+ åçæ¶ä1/2管 OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor æåºå è ̄¢ä»·
IPP114N03L IPP114N03L INFINEON 2010+ åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 11,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V) æåºå è ̄¢ä»·
IPP10N03LB IPP10N03LB INFINEON 2010+ åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): æåºå è ̄¢ä»·
IPP100N06S2L05 IPP100N06S2L05 INFINEON 2010+ åçæ¶ä1/2管 OptiMOSã¢-T Leistungstransistor æåºå è ̄¢ä»·
IPP09N03LA IPP09N03LA INFINEON 2010+ åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): æåºå è ̄¢ä»·
IPP096N03L IPP096N03L INFINEON 2010+ åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): æåºå è ̄¢ä»·
IPP08CNE8N IPP08CNE8N INFINEON 2010+ åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V) æåºå è ̄¢ä»·