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IPD16CN10N	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,0 mOhm; RDS (ein) (max.)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD144N06NG	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD13N03LA	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ Flachbandkabel; Anzahl der Leiter:10; Rasterabstand: 0,05 Zoll; Leitergröße AWG: 28; Anzahl Stränge x Stranggröße:7 x 36; Leitermaterial: C	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD135N03LG	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD12CNE8N	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD12CN10N	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,4 mOhm; RDS (ein) (max.)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD10N03LA	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD09N03LB	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD090N03LG	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD06N03LB	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD06N03LA	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD060N03LG	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD05N03LB	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD05N03LA	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD04N03LB	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD04N03LA	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD040N03LG	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD03N03LB	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @	æåºå	è ̄¢ä»·
IPD03N03LA	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO252-3; Gehäuse: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @	æåºå	è ̄¢ä»·
IPBH6N03LA	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (	æåºå	è ̄¢ä»·