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IPB05N03LB	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB05CN10N	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,4 mOhm; RDS (ein) (max.)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB051NE8N	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) (	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB04N03LB	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ -Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,9 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB04N03LA	INFINEON	2010+	åçæ¶ä1/2ç®¡ -Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,9 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB04CN10N	INFINEON	10+	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB03N03LB	INFINEON	10+	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB03N03LA	INFINEON	10+	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB037N06N3	INFINEON	10+	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB030N08N3	INFINEON	10+	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-7; Gehäuse: D2PAK 7-polig (TO-263 7-polig); VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (ein) (ma	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB025N08N3	INFINEON	10+	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB021N06N3G	INFINEON	10+	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB021N04N	INFINEON	10+	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB017N06N3	INFINEON	10+	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-7; Gehäuse: D2PAK 7-polig (TO-263 7-polig); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,7 mOhm; RDS (ein) (ma	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB015N04N	INFINEON	10+	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)	æåºå	è ̄¢ä»·
IPB011N04N	INFINEON	11+	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-7; Gehäuse: D2PAK 7-polig (TO-263 7-polig); VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,1 mOhm; RDS (ein) (ma	æåºå	è ̄¢ä»·
FDP047N10	INFINEON	11+	100V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene	æåºå	è ̄¢ä»·
FDP032N08	INFINEON	11+	75V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene	æåºå	è ̄¢ä»·
FDP025N06	INFINEON	11+	60V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene	æåºå	è ̄¢ä»·
FDB2532	INFINEON	11+	150 V N-Kanal UltraFET-Trench-MOSFET; Gehäuse: TO-263(D2PAK); Anzahl der Pins: 2; Behälter: Tape & Reel	æåºå	è ̄¢ä»·