| éæ© | ç1/4©ç¥å3/4 | ç1/4å· | å¶é å | æ¹å· | è ̄'æ | èμæ | åºå | è ̄¢ä»· |
|---|
|
 |
FDB047N10 |
INFINEON |
11+ |
100V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-263(D2PAK); Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel |
 |
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BUZ73 |
INFINEON |
11+ |
N-Kanal-MOSFETs (20V... 150V) |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BUZ30A |
INFINEON |
11+ |
SIPMOSåçæ¶ä1/2管ï1/4Nééå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4éªå'çº ©§ï1/4 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BUZ11 |
INFINEON |
11+ |
30Aæ¡ç50Vï1/40.040 ohmçNééåçMOSFET |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSZ100N03LSG |
INFINEON |
11+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (auf |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSZ088N03MSG |
INFINEON |
11+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,8 mOhm; RDS (ein) |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSZ088N03LSG |
INFINEON |
11+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TSDSON-8; Gehäuse: S3O8 (3x3mm Typ SuperSO8); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,8 mOhm; RDS (ein) |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO4822XT |
INFINEON |
11+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 14,4 mOhm |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IR1150IPBF |
IR |
10+ |
IR1150IPBF,åºæåºç®¡ |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO4822 |
INFINEON |
11+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 14,4 mOhm |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO4804XT |
INFINEON |
11+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO4804 |
INFINEON |
11+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO4420XT |
INFINEON |
11+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,9 mOhm; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO4420 |
INFINEON |
11+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,9 mOhm; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO4410XT |
INFINEON |
11+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 18,8 mOhm |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO4410 |
INFINEON |
11+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 18,8 mOhm |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO350N03XT |
INFINEON |
11+ |
N-Kanal 20V 250V Mosfet(â¦); å è£ :P G-DSO-8; å è£ :SO-8; VDSå ¬å ̧(æé«):30,0 V; å ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈)(æé«)(@10V):è3/43/4å°mOhmå ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈); (æé«) (@4,5 V):52,0 mOhm; ID(æé«):5.0 A |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO350N03 |
INFINEON |
10+ |
Næ²éåçåºæåºç®¡ |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO300N03SXT |
INFINEON |
10+ |
Næ²éåçåºæåºç®¡ |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO300N03S |
INFINEON |
10+ |
Næ²éåçåºæåºç®¡ |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
