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BSO4804
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BSO4804

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  • 产åå称ï1/4N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm
  • ååï1/4INFINEON
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BSO4804 N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm; Zulässigkeit (max.): 8,0 A;

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21033814804 HARTING Technologiegruppe16+DIPCONN RCPT 8POS PNL MT T/H RA SKT
67351-4804 Molex10+ 67351-4804
Artikel-Nr.: 2SC4804 æ°é»æº10+11+TO-220Fé¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
1894804 Phönix10+N/Aå ̈æ°åè£ è¿å£ï1/4é¦æ ̧ ̄ç°è'§
SI4804DYT1 Vishay05+SO-8Nï1/4A
SI4804DY Vishay05+SO-8Nï1/4A
NTD4804NT4G AUF11+SOT-252Leistungs-MOSFET 30 V, 117 A, Single N-Kanal, DPAK; Gehäuse: DPAK 4 LEAD Single Gauge Oberflächenmontage; Anzahl der Pins: 4; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Co
BSO4804XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm
BSO4804 INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm
SI4804DY-T1 VISHAY00+SOP-8 
SI4804DY-T1 VISHAY00+SOP-8 
SI4804DY-T1 VISHAY03+SOP-8 

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SJS830200P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 RECP INLINE SCHWARZ METALLISIERT
SJS830100P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 STECKER INLINE SCHWARZ METALLISIERT
M2884017AG1S1 Amphenol24+è¿æ¥å ̈M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 10C 10#16 SKT STECKER
CIRG06RGG18-1S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 5C 5#16 SKT STECKER
CIRH03T1610PCNF80M32V0 TE/AMP24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈STECKER STECKER 8P SILV SLDR BECHER
TAJT105K020RNJ AVX24+SMDKappe Tant Solid 1uF 20V T GEHÄUSE 10% (3.5 x 2.8 x 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29 Amphenol24+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈éå±åå1/2¢é¢æ¿å®è£ æ座 RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH38P2 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43K16MSH720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
1816098-1 TE2023+DIP继çμå ̈RELAIS GEN ZWECK DPDT 8A 12V
207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT

INFINEONåç产åæ ̈è


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BSO4420XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,9 mOhm;
BSO4420 INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,9 mOhm;
BSO4410XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 18,8 mOhm
BSO4410 INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 18,8 mOhm
BSO350N03XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal 20V 250V Mosfet(â¦); å è£ :P G-DSO-8; å è£ :SO-8; VDSå ¬å ̧(æé«):30,0 V; å ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈)(æé«)(@10V):è3/43/4å°mOhmå ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈); (æé«) (@4,5 V):52,0 mOhm; ID(æé«):5.0 A
BSO350N03 INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO300N03SXT INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO300N03S INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03SXT INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03S INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03 INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO150N03XT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 15,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 19,0 mOhm
BSO150N03 INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 15,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 19,0 mOhm
BSO119N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 11,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16,3 mOhm
BSO119N03S INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 11,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16,3 mOhm
BSO104N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 13,6 mOhm;
BSO104N03S INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 13,6 mOhm;
BSO094N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,1 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,9 mOhm;
BSO094N03S INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,1 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,9 mOhm;
BSO072N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 9,3 mOhm;

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