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BSO4804
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BSO4804

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  • 产åå称ï1/4N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm
  • ååï1/4INFINEON
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BSO4804 N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm; Zulässigkeit (max.): 8,0 A;

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21033814804 HARTING Technologiegruppe16+DIPCONN RCPT 8POS PNL MT T/H RA SKT
67351-4804 Molex10+ 67351-4804
Artikel-Nr.: 2SC4804 æ°é»æº10+11+TO-220Fé¦æ ̧ ̄ç°è'§,è¿å£åè£
1894804 Phönix10+N/Aå ̈æ°åè£ è¿å£ï1/4é¦æ ̧ ̄ç°è'§
SI4804DYT1 Vishay05+SO-8Nï1/4A
SI4804DY Vishay05+SO-8Nï1/4A
NTD4804NT4G AUF11+SOT-252Leistungs-MOSFET 30 V, 117 A, Single N-Kanal, DPAK; Gehäuse: DPAK 4 LEAD Single Gauge Oberflächenmontage; Anzahl der Pins: 4; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Co
BSO4804XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm
BSO4804 INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28,2 mOhm
SI4804DY-T1 VISHAY00+SOP-8 
SI4804DY-T1 VISHAY00+SOP-8 
SI4804DY-T1 VISHAY03+SOP-8 

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M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC

INFINEONåç产åæ ̈è


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BSO4420XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,9 mOhm;
BSO4420 INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 10,9 mOhm;
BSO4410XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 18,8 mOhm
BSO4410 INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 13,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 18,8 mOhm
BSO350N03XT INFINEON11+SOP-8N-Kanal 20V 250V Mosfet(â¦); å è£ :P G-DSO-8; å è£ :SO-8; VDSå ¬å ̧(æé«):30,0 V; å ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈)(æé«)(@10V):è3/43/4å°mOhmå ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈); (æé«) (@4,5 V):52,0 mOhm; ID(æé«):5.0 A
BSO350N03 INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO300N03SXT INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO300N03S INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03SXT INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03S INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO200N03 INFINEON10+SOP-8Næ²éåçåºæåºç®¡
BSO150N03XT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 15,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 19,0 mOhm
BSO150N03 INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 15,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 19,0 mOhm
BSO119N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 11,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16,3 mOhm
BSO119N03S INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 11,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16,3 mOhm
BSO104N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 13,6 mOhm;
BSO104N03S INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 13,6 mOhm;
BSO094N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,1 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,9 mOhm;
BSO094N03S INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,1 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,9 mOhm;
BSO072N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 9,3 mOhm;

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