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IPB80N06S2L11 |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250Vï1/4 |
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IPB70N10SL16 |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250Vï1/4 |
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IPB47N10S33 |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250Vï1/4 |
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IPB26CNE8N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 26,0 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPB26CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 26,0 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPB16CNE8N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,2 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPB16CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 16,0 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPB14N03LA |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20V... 150V) |
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IPB13N03LB |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20V... 150V) |
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IPB12CNE8N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,9 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPB12CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,9 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPB11N03LA |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,6 mOhm; RDS (ein) (max.) ( |
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IPB10N03LB |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,6 mOhm; RDS (ein) (max.) ( |
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IPB08CNE8N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( |
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IPB08CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,5 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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IPB075N150N3 |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 |
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IPB06N03LB |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT06; Anzahl der Kontakte:55; Größe der Steckerschale: 22; Anschluss: Crimpen; Zirkulär Sie |
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IPB06N03LA |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT06; Anzahl der Kontakte:55; Größe der Steckerschale: 22; Anschluss: Crimpen; Zirkulär Sie |
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IPB06CNE8N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,2 mOhm; RDS (ein) (max.) ( |
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IPB06CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,5 mOhm; RDS (ein) (max.) |
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