| éæ© | ç1/4©ç¥å3/4 | ç1/4å· | å¶é å | æ¹å· | è ̄'æ | èμæ | åºå | è ̄¢ä»· |
|---|
|
 |
BSO200N03SXT |
INFINEON |
10+ |
Næ²éåçåºæåºç®¡ |
 |
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO200N03S |
INFINEON |
10+ |
Næ²éåçåºæåºç®¡ |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO200N03 |
INFINEON |
10+ |
Næ²éåçåºæåºç®¡ |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO150N03XT |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 15,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 19,0 mOhm |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO150N03 |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 15,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 19,0 mOhm |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO119N03SXT |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 11,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16,3 mOhm |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO119N03S |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 11,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16,3 mOhm |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO104N03SXT |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 13,6 mOhm; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO104N03S |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 13,6 mOhm; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO094N03SXT |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,1 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,9 mOhm; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO094N03S |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,1 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,9 mOhm; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO072N03SXT |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 9,3 mOhm; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO072N03S |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 9,3 mOhm; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO064N03SXT |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 8,8 mOhm; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO064N03S |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 8,8 mOhm; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO052N03SXT |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,7 mOhm; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSO052N03S |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,7 mOhm; |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSC265N10LSF |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 26,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 36 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSC205N10LS |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
BSC159N10LSF |
INFINEON |
10+ |
N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,3 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
