ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
BSO094N03S
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

BSO094N03S

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,1 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,9 mOhm;
  • ååï1/4INFINEON
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4SOP-8
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/415600
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找BSO094N03Sçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

BSO094N03SN-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,1 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,9 mOhm; Innerer Nennwert (max.): 13,0 A;

ä ̧BSO094N03Sç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
BSO119N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 11,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16,3 mOhm
BSO119N03S INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 11,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16,3 mOhm
BSO104N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 13,6 mOhm;
BSO104N03S INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 13,6 mOhm;
BSO094N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,1 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,9 mOhm;
BSO072N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 9,3 mOhm;
BSO072N03S INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 9,3 mOhm;
BSO064N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 8,8 mOhm;
BSO064N03S INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 8,8 mOhm;
BSO052N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,7 mOhm;

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
0-1103277-1 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Anschlussgehäuse M 12 POS Crimp ST Kabelhalterung Grau Lose
SJS830200P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 RECP INLINE SCHWARZ METALLISIERT
SJS830100P Amphenol PKD2023+è¿æ¥å ̈æ åç ̄å1/2¢è¿æ¥å ̈ 8P SZ22 STECKER INLINE SCHWARZ METALLISIERT
M2884017AG1S1 Amphenol24+è¿æ¥å ̈M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 10C 10#16 SKT STECKER
CIRG06RGG18-1S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 5C 5#16 SKT STECKER
CIRH03T1610PCNF80M32V0 TE/AMP24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈STECKER STECKER 8P SILV SLDR BECHER
TAJT105K020RNJ AVX24+SMDKappe Tant Solid 1uF 20V T GEHÄUSE 10% (3.5 x 2.8 x 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29 Amphenol24+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈éå±åå1/2¢é¢æ¿å®è£ æ座 RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH38P2 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43K16MSH720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
1816098-1 TE2023+DIP继çμå ̈RELAIS GEN ZWECK DPDT 8A 12V
207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈

INFINEONåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
BSO072N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 9,3 mOhm;
BSO072N03S INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,8 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 9,3 mOhm;
BSO064N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 8,8 mOhm;
BSO064N03S INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 8,8 mOhm;
BSO052N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,7 mOhm;
BSO052N03S INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,7 mOhm;
BSC265N10LSF INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 26,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 36
BSC205N10LS INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28
BSC159N10LSF INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,3 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16
BSC123N10LS INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,3 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16
BSC105N10LSF INFINEON10+SUPERSO8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 14
BSC090N03LS INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 13,3
BSC080N03LSG INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,0
BSC079N03SG INFINEON11+SON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 11,6
BSC052N03S INFINEON11+TDSON8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 8,2
BSC050N03LS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 7,5
BSC042N03MS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 5,4
BSC042N03LS INFINEON11+TDSON8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5
BSC030N03LSGXT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 4,7
BSC030N03LSG INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,3

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·