ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
BSC042N03LS
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

BSC042N03LS

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5
  • ååï1/4INFINEON
  • ç产æ¹å·ï1/411+
  • å°è£ ï1/4TDSON8
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/415600
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4ç¹å»æ¥æ3/4BSC042N03LSçpdfèμæ
  • ç¹å»è ̄¢ä»·
èç³»æ们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

BSC042N03LSN-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5 mOhm; Innendurchmesser (max.): 93,0 A;

ä ̧BSC042N03LSç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
BSC079N03SG INFINEON11+SON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 11,6
BSC052N03S INFINEON11+TDSON8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 8,2
BSC050N03LS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 7,5
BSC042N03MS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 5,4
BSC030N03LSGXT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 4,7
IRFP260NPBF IR11+TO-247åçåºæåºç®¡

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
M2884017AG1S1 Amphenol24+è¿æ¥å ̈M28840/17AG1s1
CIRG06RGG18-20S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 10C 10#16 SKT STECKER
CIRG06RGG18-1S-F80-T12 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 5C 5#16 SKT STECKER
CIRH03T1610PCNF80M32V0 TE/AMP24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
ABCIRH03T1610PCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSNG STECKER 3POS PNL MNT
FRCIR06F-18S-8S-F80-T12-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈STECKER STECKER 8P SILV SLDR BECHER
TAJT105K020RNJ AVX24+SMDKappe Tant Solid 1uF 20V T GEHÄUSE 10% (3.5 x 2.8 x 1.2mm) Inward L SMD 3528-12 9 Ohm 125°C
RJFTV21G11-29 Amphenol24+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈éå±åå1/2¢é¢æ¿å®è£ æ座 RJ45
E43M22MSH3720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH36MCP1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M17MSH812P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43M18MSH38P2 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
E43K16MSH720P1 SOURIAU-SONNENBANK21+è¿æ¥å ̈深度é²æ°'è¿æ¥å ̈
1816098-1 TE2023+DIP继çμå ̈RELAIS GEN ZWECK DPDT 8A 12V
207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈

INFINEONåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
BSC030N03LSGXT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 4,7
BSC030N03LSG INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,3
BSC030N03LS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,3
BSC016N03MS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,3
BSC016N03LS INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,3
BSC014N03MS INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,1
BSC014N03LS INFINEON09+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,1
IKW03N120H2 INFINEON10+TO-247IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°:
IKP20N60T INFINEON10+TO-220ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管
IKP15N60T INFINEON10+TO-220ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管
IKP10N60T INFINEON10+TO-220ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管
IKP06N60T INFINEON10+TO-220ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管
IKP04N60T INFINEON10+TO-220ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管
IKP03N120H2 INFINEON10+TO-220IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°:
IKP01N120H2 INFINEON10+TO-220IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°:
IKCS12F60AA INFINEON2009+PG-MSIP-20Intelligente Leistungsmodule (IPM) CIPOSâ¢; Gehäuse: PG-MSIP-20;
IKB20N60T INFINEON2009+TO-263IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 2
IKB15N60T INFINEON2009+TO-263IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 2
IKB10N60T INFINEON2009+TO-263å¿«æ¢å¤äºæ管
IKB06N60T INFINEON2009+TO-263å¿«æ¢å¤äºæ管

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·