ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
BSC016N03LS
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

BSC016N03LS

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,3
  • ååï1/4INFINEON
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4TDSON-8
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/412000
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找BSC016N03LSçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

BSC016N03LS N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,3 mOhm; Zulässigkeit (max.): 100,0 A;

ä ̧BSC016N03LSç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
BSC030N03LSG INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,3
BSC030N03LS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,3
BSC016N03MS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,3
BSC014N03MS INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,1
BSC014N03LS INFINEON09+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,1
FDW252P FAIRCHILD09+TSSOP-8-20 V P-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench-MOSFET; Gehäuse: TSSOP-8; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Tape & Reel
FDS8870_G FAIRCHILD09+TO-25230V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Paket: SO-8; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Tape & Reel
FDS8449 FAIRCHILD09+SOP-840VçNæ²éçPowerTrench MOSFET

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

INFINEONåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
BSC014N03MS INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,1
BSC014N03LS INFINEON09+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,1
IKW03N120H2 INFINEON10+TO-247IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°:
IKP20N60T INFINEON10+TO-220ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管
IKP15N60T INFINEON10+TO-220ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管
IKP10N60T INFINEON10+TO-220ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管
IKP06N60T INFINEON10+TO-220ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管
IKP04N60T INFINEON10+TO-220ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管
IKP03N120H2 INFINEON10+TO-220IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°:
IKP01N120H2 INFINEON10+TO-220IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°:
IKCS12F60AA INFINEON2009+PG-MSIP-20Intelligente Leistungsmodule (IPM) CIPOSâ¢; Gehäuse: PG-MSIP-20;
IKB20N60T INFINEON2009+TO-263IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 2
IKB15N60T INFINEON2009+TO-263IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 2
IKB10N60T INFINEON2009+TO-263å¿«æ¢å¤äºæ管
IKB06N60T INFINEON2009+TO-263å¿«æ¢å¤äºæ管
IKB04N60T INFINEON2009+TO-263å¿«æ¢å¤äºæ管
IKB01N120H2 INFINEON2009+TO-263IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO263-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°:
IKA15N60T INFINEON2009+TO-220FIGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 14,7
IKA10N60T INFINEON2009+TO-220FIGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 11,7
IKA06N60T INFINEON2009+TO-220FIGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO220-3; Schaltfrequenz: TRENCHSTOP⢠2-20kHz; Gehäuse: TO-220; VCE (max): 600,0 V; IC(max) @ 25°: 10,0

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·