ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
IRFP260NPBF
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IRFP260NPBF

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4åçåºæåºç®¡
  • ååï1/4IR
  • ç产æ¹å·ï1/411+
  • å°è£ ï1/4TO-247
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/40
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IRFP260NPBFçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IRFP260NPBF

åçåºæåºç®¡

ä ̧IRFP260NPBFç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
BSC052N03S INFINEON11+TDSON8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 8,2
BSC050N03LS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 7,5
BSC042N03MS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 5,4
BSC042N03LS INFINEON11+TDSON8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5
BSC030N03LSGXT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 4,7

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,

IRåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF7469TRPBF IR10+SOP-840-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7469TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF8721PBF IR10+SOP-830-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF8721PBF mit Standardverpackung
IRLR7821TRPBF IR10+TO-25230-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR7821TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF7309TRPBF IR10+SOP-830V Dual N- und P-Kanal HEXFET Power MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7309TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF7220TRPBF IR10+SOP-8-12-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7220TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFR9024NPBF IR10+TO-252HEXFET-LEISTUNGS-MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175ã , ID = -11A )
IRF8910TRPBF IR10+SOP-820-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8910TR mit bleifreier Verpackung
IRF7478TRPBF IR10+SOP-8MOSFETçå1/4å ³çμæº
IRFS17N20DTRLP IR10+TO-263200-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFS17N20DTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF9540NSTRLPBF IR10+TO-263-100-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF9540NS mit bleifreier Verpackung, die auf Tape and Reel Left geliefert wird.
IRF7101TR IR10+SOP-820-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF7101 mit Tape-and-Reel-Verpackungen
IRG4BH20K-SPBF IR10+D2-PAK1200 V ultraschneller diskreter IGBT mit 4-20 kHz in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRG4BH20K-S mit bleifreier Verpackung.
IRF7904TRPBF IR10+SOP-830-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7904PBF mit Tape-and-Reel-Verpackung.
IRF3315SPBF IR10+D2-pakHEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFR120NPBF IR10+TO-252Schnelles Umschalten
IRF6795MTR1PBF IR10+SOT-263Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on
IRLML5103TRPBF IR10+SOT-23-3-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem Micro 3 Gehäuse; Ähnlich wie IRLML5103 mit Tape and Reel und bleifreier Verpackung
IRFR9120NTRLPBF IR10+D PAK-100 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR9120NTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRF7424TRPBF IR10+SOP-830-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7424TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF6215PBF IR10+TO-220HEXFETâ Leistungs-MOSFET

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·