ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
IRF7424TRPBF
ĺ§åå3/4çä» ä3/4åè
Ƭ¢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IRF7424TRPBF

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/430V Jednokanałowy tranzystor mocy HEXFET Power MOSFET 30V w obudowie SO-8; Podobny do IRF7424TR z opakowaniem bezołowiowym na taśmie i szpuli
  • ååï1/4IR
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4SOP-8 (Stanowisko SOP-8)
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/412000
  • æä1/2è® ̢è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IRF7424TRPBFçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IRF7424TRPBF30V Jednokanałowy tranzystor mocy HEXFET Power MOSFET 30V w obudowie SO-8; Podobny do IRF7424TR z opakowaniem bezołowiowym na taśmie i szpuli

ä ̧IRF7424TRPBFç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF7424TRPBF IR10+SOP-8 (Stanowisko SOP-8)30V Jednokanałowy tranzystor mocy HEXFET Power MOSFET 30V w obudowie SO-8; Podobny do IRF7424TR z opakowaniem bezołowiowym na taśmie i szpuli

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
FRCIR06-32-8P-F80-T108 Rozwiązania ITT Interconnect24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 PIN WTYCZKA
SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧çμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2'
ET-JL06-18 JAE Elektronika2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-RÓŻNE JAE Elektronika24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Rezystory prądowe - SMD 2wats .005ohms 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 Złącza AB25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 Złącza AB25+è¿æ¥å ̈onnector Odwrócone sprzęgło bagnetowe okrągłe RCP 14S-5 ST do montażu skrzynkowego - luzem
ABB1240KLKF80P3 Złącza AB24+è¿æ¥å ̈Rozmiar sworznia kontaktowego 12. Przewód AWG 40
ABB1240KPKF80P3 Złącza AB24+è¿æ¥å ̈Rozmiar sworznia kontaktowego 12. Przewód AWG 40
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Sp. z o.o.24+DIPKondensator: ceramiczny, 4.7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 Złącza AB24+è¿æ¥å ̈Okrągłe złącze MIL Spec ER 5C 5#16S WTYCZKA SKT
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Sp. z o.o.24+çμ容Kondensator: ceramiczny, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronika24+è¿æ¥å ̈ZŁĄCZE R/A 34POS 2,54 MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN Korporacja OMRON24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Luzem (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
C-1106437 Łączność TE24+è¿æ¥å ̈Akcesoria do złączy Kaptur Odlew aluminiowy luźny kawałek
Zobacz materiał KH208-8 Vitrohm powiedział:24+DIPRezystor, 100 miliomów, ï¿1/2 10%, 5 W, Wyprowadzenia osiowe, Drutowe, Zasilanie (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
Zobacz materiał EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Technologie energetyczne Amphenol24+è¿æ¥å ̈309 Złącze, 3P+N+E / 5W - 60A - Złącze - 277/480V keway 7h, IP67

IRåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IRF6215PBF IR10+TO-220Tranzystor mocy MOSFET HEXFET
IRF5803D2TRPBF IR10+SOP-8 (Stanowisko SOP-8)-40V FETKY - MOSFET i dioda Schottky'ego w obudowie SO-8; Podobny do IRF5803D2TR z opakowaniem bezołowiowym na taśmie i szpuli
IRF7805TRPBF IR10+Procedura SOP8Pojedynczy N-kanałowy tranzystor MOSFET mocy HEXFET 30 V w obudowie DirectFET SQ o natężeniu 55 amperów, zoptymalizowany z niską rezystancją do zastosowań takich jak act
IRF6621TR1PBF IR10+Numer QFNPojedynczy N-kanałowy tranzystor MOSFET mocy HEXFET 30 V w obudowie DirectFET SQ o natężeniu 55 amperów, zoptymalizowany z niską rezystancją do zastosowań takich jak act
IRF7509TRPBF IR10+Moduł MSOP-830V Dwukanałowy N- i P-kanałowy MOSFET mocy HEXFET w obudowie Micro 8; Podobny do IRF7509 z bezołowiowym opakowaniem na taśmie i szpuli
IRF7452TRPBF IR10+SOP-8 (Stanowisko SOP-8)100V Pojedynczy N-kanałowy MOSFET mocy HEXFET w obudowie SO-8; Podobny do IRF7452TR z opakowaniem bezołowiowym na taśmie i szpuli
IRF7204TRPBF IR10+SOP-8 (Stanowisko SOP-8)-20V Jednokanałowy tranzystor mocy MOSFET HEXFET z pojedynczym kanałem P w obudowie SO-8; Podobny do IRF7204TR z opakowaniem bezołowiowym na taśmie i szpuli
IRLR024N IR10+TO-252Tranzystor MOSFET mocy HEXFET(HEXFET åºæåºç®¡)
IRFB42N20DPBF IR10+TO-220Tranzystor MOSFET mocy HEXFET
IRLR2705TRLPBF IR10+TO-25255V Pojedynczy N-kanałowy MOSFET mocy HEXFET w obudowie D-Pak; Podobny do IRLR2705TRL z opakowaniem bezołowiowym na taśmie i lewej szpuli
IRFR2407PBF IR10+TO-252Tranzystor MOSFET mocy HEXFET
IRFP4321PBF IR10+TO-247 powiedział:Tranzystor MOSFET mocy HEXFET
IRFS38N20DPBF IR10+D2-PAKTranzystor MOSFET mocy HEXFET
IRF7205TRPBF IR10+SOP-8 (Stanowisko SOP-8)-30V Jednokanałowy tranzystor MOSFET mocy HEXFET z pojedynczym kanałem P w obudowie SO-8; Podobny do IRF7205TR z opakowaniem bezołowiowym na taśmie i szpuli
IRFU220NPBF IR10+TO-251Tranzystor MOSFET mocy HEXFET
IRF8707PBF IR10+Procedura SOP8Tranzystor MOSFET mocy HEXFET
IRFS59N10DPBF IR10+SOT-263 powiedział:Tranzystor MOSFET mocy HEXFET
IRF1010ZPBF IR10+TO-220Zamiennik dla Texas Instruments numer części 54BCT648/BKA. Kupuj od autoryzowanego producenta Rochester Electronics.
IRF5210SPBF IR10+TO-263Tranzystor MOSFET mocy HEXFET
IRF7495TRPBF IR10+SOP-8 (Stanowisko SOP-8)100V Pojedynczy N-kanałowy MOSFET mocy HEXFET w obudowie SO-8; Podobny do IRF7495TR z opakowaniem bezołowiowym

åç±»æ£ç'¢

Prawa autorskie chip100.com 2010-2011© MCCT粤ICPå¤14056028å·