IRF6621TR1PBF

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äº§ååç§°ï1/4Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie
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IRF6621TR1PBFEin 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie z. B. aktives OR'ing. Lieferung nur in Tape and Reel. Das Teil ist nicht in großen Mengen erhältlich, TR ist in der Teilenummer enthalten. Ähnlich wie IRF6621 für die Verwendung mit bleifreiem Löten qualifiziert, das in Band und Rolle 1000 Stück geliefert wird

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IRF6621TR1PBF	IR	10+	QFN	Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie

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JAE. JIT. OCHSE-16	JAE Elektronik	2023+	è¿æ¥å ̈	16#ééå ̈
RCS20M-12RD28	SOURIAU-SONNENBANK	2023+	è¿æ¥å ̈	Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kÎ©129	FSG	24+	çμä1/2å ̈	PW620-41 M 5k Î©/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE	Mors Smitt	24+	ç»§çμå ̈	ç»§çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108	ITT Interconnect-Lösungen	24+	è¿æ¥å ̈	CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500	æ¬§ç±³è	24+	DIP	è£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4çº¿è1/2'ï1/4 \| æ¬§ç±³è éç»ç1/4 T/C çº¿ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4çº¿è1/2"
ET-JL06-18	JAE Elektronik	2023+	å·¥å ·	æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES	JAE Elektronik	24+	è¿æ¥å ̈	27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F	TT	23+	2512	Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0	AB Steckverbinder	25+	è¿æ¥å ̈	ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0	AB Steckverbinder	25+	è¿æ¥å ̈	onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B	Murata Manufacturing Co Ltd	24+	DIP	Kondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2	æ²å°ç¹å®	24+	DIP	è1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0	AB Steckverbinder	24+	è¿æ¥å ̈	Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B	Murata Manufacturing Co Ltd	24+	çμå®¹	Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1	JAE Elektronik	24+	è¿æ¥å ̈	STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN	OMRON Corporation	24+	æé®	ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437	TE Connectivity	24+	è¿æ¥å ̈	Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück

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IRF7509TRPBF	IR	10+	MSOP-8	30V Dual N- und P-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET in einem Micro 8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7509 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF7452TRPBF	IR	10+	SOP-8	100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7452TR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle
IRF7204TRPBF	IR	10+	SOP-8	-20-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7204TR mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle
IRLR024N	IR	10+	TO-252	HEXFET Power MOSFET (HEXFET åçMOSåºæåºç®¡)
IRFB42N20DPBF	IR	10+	TO-220	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR2705TRLPBF	IR	10+	TO-252	55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR2705TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links
IRFR2407PBF	IR	10+	TO-252	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFP4321PBF	IR	10+	TO-247	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFS38N20DPBF	IR	10+	D2-PAK	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF7205TRPBF	IR	10+	SOP-8	-30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7205TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRFU220NPBF	IR	10+	TO-251	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF8707PBF	IR	10+	SOP8	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRFS59N10DPBF	IR	10+	SOT-263	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF1010ZPBF	IR	10+	TO-220	Ersatz für Texas Instruments Teilenummer 54BCT648/BKA. Kaufen Sie beim autorisierten Hersteller Rochester Electronics.
IRF5210SPBF	IR	10+	TO-263	HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRF7495TRPBF	IR	10+	SOP-8	100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7495TR mit bleifreier Verpackung
IRFB3306PBF	IR	10+	TO-220	é«æçåæ¥æ'æμå1/4å ³çμæº Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMP
IRF7456TRPBF	IR	10+	SOP-8	20-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7456TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF7425TRPBF	IR	10+	SOP-8	-20-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7425 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel
IRF8010STRLPBF-SPBF	IR	10+	TO-263	100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF8010STRL mit bleifreier Verpackung.

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