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IRF7101TR
| IR | 10+ | SOP-8 | 20-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF7101 mit Tape-and-Reel-Verpackungen |
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IRG4BH20K-SPBF
| IR | 10+ | D2-PAK | 1200 V ultraschneller diskreter IGBT mit 4-20 kHz in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRG4BH20K-S mit bleifreier Verpackung. |
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IRF7904TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 30-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7904PBF mit Tape-and-Reel-Verpackung. |
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IRF3315SPBF
| IR | 10+ | D2-pak | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRFR120NPBF
| IR | 10+ | TO-252 | Schnelles Umschalten |
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IRF6795MTR1PBF
| IR | 10+ | SOT-263 | Ein 25-V-Single-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 32 Ampere, optimiert und mit niedrigem Einschaltwiderstand. Versand in Tape and Reel on |
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IRLML5103TRPBF
| IR | 10+ | SOT-23-3 | -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem Micro 3 Gehäuse; Ähnlich wie IRLML5103 mit Tape and Reel und bleifreier Verpackung |
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IRFR9120NTRLPBF
| IR | 10+ | D PAK | -100 V Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRFR9120NTRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRF7424TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 30-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7424TR mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF6215PBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFETâ Leistungs-MOSFET |
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IRF5803D2TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | -40V FETKY - MOSFET und Schottky-Diode in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF5803D2TR mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle |
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IRF7805TRPBF
| IR | 10+ | SOP8 | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie |
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IRF6621TR1PBF
| IR | 10+ | QFN | Ein 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-SQ-Gehäuse mit einer Nennleistung von 55 Ampere, optimiert mit niedrigem Einschaltwiderstand für Anwendungen wie |
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IRF7509TRPBF
| IR | 10+ | MSOP-8 | 30V Dual N- und P-Kanal HEXFET Leistungs-MOSFET in einem Micro 8 Gehäuse; Ähnlich wie IRF7509 mit bleifreier Verpackung auf Tape and Reel |
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IRF7452TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | 100-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7452TR mit bleifreier Verpackung auf Klebeband und Rolle |
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IRF7204TRPBF
| IR | 10+ | SOP-8 | -20-V-Einzel-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ähnlich wie IRF7204TR mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle |
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IRLR024N
| IR | 10+ | TO-252 | HEXFET Power MOSFET (HEXFET åçMOSåºæåºç®¡) |
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IRFB42N20DPBF
| IR | 10+ | TO-220 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |
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IRLR2705TRLPBF
| IR | 10+ | TO-252 | 55-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRLR2705TRL mit bleifreier Verpackung auf Band und Rolle links |
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IRFR2407PBF
| IR | 10+ | TO-252 | HEXFET-Leistungs-MOSFET |