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BSC123N10LS
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BSC123N10LS

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  • 产åå称ï1/4N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,3 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16
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BSC123N10LS N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,3 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16,6 mOhm; Zulässigkeit (max.): 71,0 A;

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BSO052N03SXT INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,7 mOhm;
BSO052N03S INFINEON10+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,7 mOhm;
BSC265N10LSF INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 26,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 36
BSC205N10LS INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 20,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 28
BSC159N10LSF INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,3 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16
BSC105N10LSF INFINEON10+SUPERSO8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 14
BSC090N03LS INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 13,3
BSC080N03LSG INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,0

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KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈
TFPT1206L1001FV Vishay Dale24+1206SENSOR PTC 1KOHM 1% 1206
CKRA2410 Crydom Inc23+继çμå ̈Halbleiterrelais, 10A 24-280V 90-280V I/P,
KDN-B-110V Mors Smitt2024+继çμå ̈éé/åç ̈³æéè1/21/2åç继çμå ̈KDN-B 110VDC
4403-000LF CTS2024+DIPå3/4®å EMI #4-40 UNC-2A C 滤波å ̈
MPY20W1470FB00MSSD Wima2023+DIP2MP 3-Y2 4700 pF 20% 250 VAC 5x10x13.5 FVRM10
ABCIRH03T14S5SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 5POS GOLD CRIMP
M3-A230 MORSSMITT2024+继çμå ̈Steckbares Allzweckrelais
Nr. SSDN-414-005 T&M2024+ç'ææ æåè1/2'åæμå ̈
6ES7214-1BG31-0XB0 西é ̈å23+SPS6ES7214-1BG31-0XB0
81-206-01 Elma Elektronik24+è¿æ¥å ̈Der 81-206-01 ist ein unterer Griff ohne ESD-Stift. Optionale Schrauben zur Befestigung von Frontplatten: M2,5,: 61-295.
EMP-SM-3C-R10-D35 Amphenol24+è¿æ¥å ̈é«åç©å1/2¢è¿æ¥å ̈
Artikel-Nr.: 51513-12-12T12 ITT Interconnect-Lösungen23+è¿æ¥å ̈VB CON 12-POLIGER CRIMP 20-22

INFINEONåç产åæ ̈è


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BSC105N10LSF INFINEON10+SUPERSO8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 14
BSC090N03LS INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 13,3
BSC080N03LSG INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,0
BSC079N03SG INFINEON11+SON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 11,6
BSC052N03S INFINEON11+TDSON8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 8,2
BSC050N03LS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 7,5
BSC042N03MS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 5,4
BSC042N03LS INFINEON11+TDSON8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5
BSC030N03LSGXT INFINEON11+SOP-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 4,7
BSC030N03LSG INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,3
BSC030N03LS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,3
BSC016N03MS INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,3
BSC016N03LS INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,3
BSC014N03MS INFINEON10+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,1
BSC014N03LS INFINEON09+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 2,1
IKW03N120H2 INFINEON10+TO-247IGBT mit antiparalleler Diode; Gehäuse: PG-TO247-3; Schaltfrequenz: HighSpeed2 30-100 kHz; Gehäuse: TO-247; VCE (max): 1.200,0 V; IC(max) @ 25°:
IKP20N60T INFINEON10+TO-220ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管
IKP15N60T INFINEON10+TO-220ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管
IKP10N60T INFINEON10+TO-220ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管
IKP06N60T INFINEON10+TO-220ä1/2æèDuoPackï1/4å ̈IGBTçæ²æ§1/2åºç»æ¢ææ ̄åè1/2 ̄ï1/4æ¢å¤å¿«åå¹³è¡ä1/2å¿«æ¢å¤äºæ管

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