æçè ̄¢ä»·å - è¿å£å å ̈ä»¶ä3/4åºåå ̈çç°è'§åæè'§ä1/4å¿æ ̧ é

äº§ååå·	äº§ååç§°	æ¹å·	åå	å°è£	æ°é
BSC123N10LS	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,3 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 16	10+	INFINEON	TDSON-8		å é¤