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IPP08CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V |
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IPP080N03L |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V) |
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IPP07N03LB |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 150,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,5 mOhm; RDS (an) (max.) (@4,5 |
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IPP075N150N3 |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO220-3; Gehäuse: TO-220; VDS (max): 150,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,5 mOhm; RDS (an) (max.) (@4,5 |
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IPP06N03LA |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 OptiMOS 2 Leistungstransistor |
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IPP06CNE8N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 OptiMOS 2 Leistungstransistor |
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IPP06CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 OptiMOS 2 Leistungstransistor |
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IPP05N03LA |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 OptiMOS 2 Leistungstransistor |
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IPP05CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 OptiMOS 2 Leistungstransistor |
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IPP054NE8N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 OptiMOS 2 Leistungstransistor |
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IPP04N03LB |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 OptiMOS 2 Leistungstransistor |
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IPP04CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 OptiMOS 2 Leistungstransistor |
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IPP040N06N3 |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 OptiMOS 2 Leistungstransistor |
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IPP03N03LA |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 OptiMOS 2 Leistungstransistor |
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IPP034N03L |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 |
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IPP030N10N3 |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 |
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IPP028N08N3 |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 |
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IPP024N06N3 |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 |
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IPP015N04N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 |
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IPI80CN10N |
INFINEON |
2010+ |
åçæ¶ä1/2管 |
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