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BSC110N06NS3G	INFINEON	11+	Néé60.0 V 50.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 11,0 mOhm; RDS (o	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC106N025SG	INFINEON	11+	Nééåºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC100N06LS3G	INFINEON	11+	Néé 60.0 V 50.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC152N10NSFG	INFINEON	11+	Néé 100.0 V 63.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 15,2 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC085N025SG	INFINEON	11+	Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC076N06NS3G	INFINEON	11+	Néé60.0 V 50.0 A åºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,6 mOhm; RDS (o	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC072N025SG	INFINEON	11+	Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC067N06LS3G	INFINEON	11+	Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC118N10NSG	INFINEON	11+	Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC048N025SG	INFINEON	11+	Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC037N025SG	INFINEON	11+	Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC035N04LSG	INFINEON	11+	Geb. 40,0 V; 100,0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,5 mOhm; RDS (	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC028N06LS3G	INFINEON	11+	Geb. 60,0 V; 100,0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,8 mOhm; RDS (	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC027N04LSG	INFINEON	11+	Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (o	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC024N025SG	INFINEON	11+	Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Power-Transistor	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC020N025SG	INFINEON	11+	Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Power-Transistor	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC019N04NSG	INFINEON	11+	Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,9 mOhm; RDS (o	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC018N04LSG	INFINEON	11+	Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC017N04NSG	INFINEON	11+	Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC016N04LSG	INFINEON	11+	Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o	æåºå	è ̄¢ä»·