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BSC035N04LSG
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BSC035N04LSG

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BSC035N04LSG geb. 40,0 V; 100.0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 5,3 mOhm; Bezeichnung (max): 100,0 A

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BSC067N06LS3G INFINEON11+TDSON-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor
BSC118N10NSG INFINEON11+P-DSO-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor
BSC048N025SG INFINEON11+P-DSO-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor
BSC037N025SG INFINEON11+P-DSO-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor
TS4B05G SEP10+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
TS4B04G SEP10+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
TS4B03G SEP10+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
TS4B02G LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
BSC028N06LS3G INFINEON11+SON-8Geb. 60,0 V; 100,0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,8 mOhm; RDS (
TS25P10G LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈

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B80K460 Epcos25+ä1/4 æå ̈SIOV-Metalloxid-Varistoren
ABMP17T28M13PV0N TT Electronics AG24+è¿æ¥å ̈ABMP17T28M13PVON/SCHIENE UND MILITÄRISCHE LANDSYSTEME
HC-SN100V4B15 KOHSCHIN25+DIPçμæμä1/4 æå ̈
ABCIRP03T1819SV0N AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT HSG FMALE 10POS PNL MT
SHKE470-110-n. Chr. AUSLAUGEN25+继çμå ̈继çμå ̈座
SHKED470-110-n. Chr. AUSLAUGEN25+继çμå ̈继çμå ̈座
ADIS16575-2BMLZ INSERAT25+Modul6 DOF Prec IMU, 8 g (450 DPS D)
N/MS3108B20-4P JAE Elektronik2025+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, 4 Kontakt(e), Kunststoff, Stecker, Lötanschluss, Stecker
62IN-18F-10-6S Amphenol Corporation2025+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
NLS-N-BK-C70-M40BEPN250 ITT24+è¿æ¥å ̈NLS-N-BK-C70-M40B EPN250
V93BR Mors Smitt24+è¿æ¥å ̈V93BRæ座-èºéç« ̄åï1/4è1/2 ̈éå 裮8æ
V17-D MORSSMITT24+继çμå ̈继çμå ̈æ座æå1/4¹ç°§ç« ̄å
VGE1TS181900L SOURIAU-SONNENBANK24+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL Spec Endgehäuse BACKSHELL SZ18
KEYSTONE26 Keystone Elektronik24+è¿æ¥å ̈ÖSE 0,187" MESSING VERZINNT
KPSE06E14-19SA206 ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular SKT 19 POS Crimp ST Kabelhalterung 19 Klemme 1 Port
KPSE06J14-19P ITT24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder KPSE 19C 19#20 STIFT STECKER
W-1-005-4STUD T&M24+DIPSERIES W - Bolzeneingang - 4 Bolzen
ABBH2214SDAM AB Steckverbinder2024+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å°3/4管
Nr. C193A/24EV-U1 æ²å°ç¹å®25+DIPSpannung 1100v elektrischer Strom 50Aæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
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BSC028N06LS3G INFINEON11+SON-8Geb. 60,0 V; 100,0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,8 mOhm; RDS (
BSC027N04LSG INFINEON11+SON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (o
BSC024N025SG INFINEON11+SON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Power-Transistor
BSC020N025SG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Power-Transistor
BSC019N04NSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,9 mOhm; RDS (o
BSC018N04LSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o
BSC017N04NSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o
BSC016N04LSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o
BSC252N10NSFG INFINEON11+TDSON-8Néé 100.0 V 40.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 25,2 mOhm; RDS
BSC196N10NSG INFINEON11+TDSON-8Néé 100.0 V 45.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 19,6 mOhm; RDS
BSO615NV INFINEON11+SOP-8å°ä¿¡å·æ¶ä1/2管--60,0 V 2,6 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): -; RDS (ein) (max.) (
BSO615N INFINEON11+SOP-8å°ä¿¡å·æ¶ä1/2管--60,0 V 2,6 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): -; RDS (ein) (max.) (
BSC190N15NS3G INFINEON11+TDSON-8Néé 150.0 V 50.0 aåºæåºç®¡N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 150,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 19,0 mOhm; RDS
BSC050N03LSG INFINEON11+TDSON-8Néé 30.0 V 80.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,0 mOhm; RDS
BSC050N03MSG INFINEON11+TDSON-8Néé 30.0 V 80.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,0 mOhm; RDS
BSC042N03LSG INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5
BSC042N03MSG INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5
BSC042N03SG INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5
BSC032N03SG INFINEON11+TDSON-8Næ²é 30,0 V 100,0 A; åºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; R
BSC079N03S INFINEON11+SOP-8Næ²é 30,0 V 40,0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,9 mOhm; RD

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