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BSC024N025SG
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BSC024N025SG

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BSC024N025SG Néé 40.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡OptiMOSâ2 Leistungstransistor

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TS4B02G LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
BSC028N06LS3G INFINEON11+SON-8Geb. 60,0 V; 100,0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,8 mOhm; RDS (
TS25P10G LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
BSC027N04LSG INFINEON11+SON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (o
BSC020N025SG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Power-Transistor
BSC019N04NSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,9 mOhm; RDS (o
BSC018N04LSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o
BSC017N04NSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o
BSC016N04LSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o

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C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
PT02E10-6S Amphenol Industrial Operations24+è¿æ¥å ̈CONN RCPT FMALE 6POS LÖTKELCH
KP02A14-15S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder, Buchse, Größe 14, 15 Positionen, Gehäuse, Produktpalette:Pt-Serie,
U-MULTILINK-FX NXP (Englisch)24+å·¥å ·NXP U-MULTILINKé£æå¡å°ç§å1/2å ̈USB-ML-Universal è°è ̄å ̈PE仿çå ̈
KPT02E8-4P ITT24+è¿æ¥å ̈Conn Circular PIN 4 POS Solder ST Box Mount 4 Terminal 1 Port
HSC1008R2J TE24+DIPHSC-Familie von Leistungswiderständen mit Aluminiumgehäuse 75 W bis 500 W, Verlustfähigkeit, Goldeloxierung und zwei Montageflanschen.
Artikel-Nr.: 27914-30T12 ITT2023+è¿æ¥å ̈Kontaktabmessungen - Stecker F80 Crimp
AF8/WA27F Daniels Manufacturing Corporation (DMC)24+å·¥å ·DMCåçº¿é³ åè£ è¿å£æ£å
CMF8342T CMF23+æ ̈¡åTç³»åä ̧æ管æ3/4大å ̈æ ̈¡å
RWR78N39R2FR Vishay24+DIPRES 39,2 OHM 10W 1% WW AXIAL
ETP41L18BXUU STPI22+继çμå ̈STPI/REL ETP6 Relais nicht selbsthaltend, 6 Blatt, 1 A, 72 VDC
MPS100ASC ä ̧è±2024+å·¥å ·ç²3/4å ̄ä1/2ç1/2®æ£æμå ̈

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BSC020N025SG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Power-Transistor
BSC019N04NSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,9 mOhm; RDS (o
BSC018N04LSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o
BSC017N04NSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o
BSC016N04LSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o
BSC252N10NSFG INFINEON11+TDSON-8Néé 100.0 V 40.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 25,2 mOhm; RDS
BSC196N10NSG INFINEON11+TDSON-8Néé 100.0 V 45.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 19,6 mOhm; RDS
BSO615NV INFINEON11+SOP-8å°ä¿¡å·æ¶ä1/2管--60,0 V 2,6 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): -; RDS (ein) (max.) (
BSO615N INFINEON11+SOP-8å°ä¿¡å·æ¶ä1/2管--60,0 V 2,6 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): -; RDS (ein) (max.) (
BSC190N15NS3G INFINEON11+TDSON-8Néé 150.0 V 50.0 aåºæåºç®¡N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 150,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 19,0 mOhm; RDS
BSC050N03LSG INFINEON11+TDSON-8Néé 30.0 V 80.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,0 mOhm; RDS
BSC050N03MSG INFINEON11+TDSON-8Néé 30.0 V 80.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,0 mOhm; RDS
BSC042N03LSG INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5
BSC042N03MSG INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5
BSC042N03SG INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5
BSC032N03SG INFINEON11+TDSON-8Næ²é 30,0 V 100,0 A; åºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; R
BSC079N03S INFINEON11+SOP-8Næ²é 30,0 V 40,0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,9 mOhm; RD
BSC057N08NS3 INFINEON11+SON-8Næ²é 80,0 V 100,0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,7 mOhm; RDS
BSC100N03LS INFINEON11+P-TDSON-8Næ²é 30,0 V 44,0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS
BSC100N03MS INFINEON11+P-TDSON-8Næ²é 30,0 V 44,0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS

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