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BSC118N10NSG
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BSC118N10NSG

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BSC118N10NSG Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ2 Leistungstransistor

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BSC152N10NSFG INFINEON11+TDSON-8Néé 100.0 V 63.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 15,2 mOhm; RDS
BSC085N025SG INFINEON11+TDSON-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor
BSC076N06NS3G INFINEON11+TDSON-8Néé60.0 V 50.0 A åºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,6 mOhm; RDS (o
BSC072N025SG INFINEON11+TDSON-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor
BSC067N06LS3G INFINEON11+TDSON-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor
BSC048N025SG INFINEON11+P-DSO-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor
BSC037N025SG INFINEON11+P-DSO-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor
TS4B05G SEP10+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
BSC035N04LSG INFINEON11+SON-8Geb. 40,0 V; 100,0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,5 mOhm; RDS (
TS4B04G SEP10+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈

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KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈

INFINEONåç产åæ ̈è


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BSC048N025SG INFINEON11+P-DSO-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor
BSC037N025SG INFINEON11+P-DSO-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Power-Transistor
BSC035N04LSG INFINEON11+SON-8Geb. 40,0 V; 100,0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,5 mOhm; RDS (
BSC028N06LS3G INFINEON11+SON-8Geb. 60,0 V; 100,0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,8 mOhm; RDS (
BSC027N04LSG INFINEON11+SON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (o
BSC024N025SG INFINEON11+SON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Power-Transistor
BSC020N025SG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Power-Transistor
BSC019N04NSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,9 mOhm; RDS (o
BSC018N04LSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o
BSC017N04NSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o
BSC016N04LSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o
BSC252N10NSFG INFINEON11+TDSON-8Néé 100.0 V 40.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 25,2 mOhm; RDS
BSC196N10NSG INFINEON11+TDSON-8Néé 100.0 V 45.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 19,6 mOhm; RDS
BSO615NV INFINEON11+SOP-8å°ä¿¡å·æ¶ä1/2管--60,0 V 2,6 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): -; RDS (ein) (max.) (
BSO615N INFINEON11+SOP-8å°ä¿¡å·æ¶ä1/2管--60,0 V 2,6 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): -; RDS (ein) (max.) (
BSC190N15NS3G INFINEON11+TDSON-8Néé 150.0 V 50.0 aåºæåºç®¡N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 150,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 19,0 mOhm; RDS
BSC050N03LSG INFINEON11+TDSON-8Néé 30.0 V 80.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,0 mOhm; RDS
BSC050N03MSG INFINEON11+TDSON-8Néé 30.0 V 80.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,0 mOhm; RDS
BSC042N03LSG INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5
BSC042N03MSG INFINEON11+TDSON-8N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5

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