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IRF9520NSPBF	IR	2010+	Nééåºæåºç®¡ HEXFETã¢ Power MOSFET	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF6218PBF	IR	2010+	Nééåºæåºç®¡ HEXFETã¢ Power MOSFET	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF6216PBF	IR	2010+	Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem SO-8-Gehäuse; Ein IRF6216 mit Standardverpackung	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF6217PBF	INFINEON	2010+	Nééåºæåºç®¡ SMPS MOSFET HEXFETã¢Power MOSFET	æåºå	è ̄¢ä»·
IRFU6215PBF	INFINEON	2010+	Nééåºæåºç®¡ HEXFETã¢ Power MOSFET	æåºå	è ̄¢ä»·
IRFR6215TRLPBF	INFINEON	2010+	150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung	æåºå	è ̄¢ä»·
IRFR6215PBF	INFINEON	2010+	150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung	æåºå	è ̄¢ä»·
IRFR6215CTRLPBF	INFINEON	2010+	150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung	æåºå	è ̄¢ä»·
IRFR6215CPBF	INFINEON	2010+	150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF6215L-103PBF	INFINEON	2010+	150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF6215LPBF	INFINEON	2010+	150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF6215STRLPBF	INFINEON	2010+	150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung	æåºå	è ̄¢ä»·
IRF6215SPBF	INFINEON	2010+	HEXFET® POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ã , ID=-13A )	æåºå	è ̄¢ä»·
BSO303P	INFINEON	2010+	Nééåºæåºç®¡ P-Kanal MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 21,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 32,0 mOhm; R	æåºå	è ̄¢ä»·
BSO303SP	INFINEON	11+	Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 21,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 31,0	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC110N06NS3	INFINEON	11+	Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,0 m	æåºå	è ̄¢ä»·
BSO301SP	INFINEON	11+	Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,0 m	æåºå	è ̄¢ä»·
BSO080P03S	INFINEON	11+	Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; RD	æåºå	è ̄¢ä»·
BSO080P03NS3	INFINEON	11+	Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; RD	æåºå	è ̄¢ä»·
BSO080P03NS3E	INFINEON	11+	Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; RD	æåºå	è ̄¢ä»·