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BSO080P03NS3
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BSO080P03NS3

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BSO080P03NS3 néé30.0 v åºæåºç®¡MOSFET de canal P; Paquete: PG-DSO-8; Paquete: SO-8; VDS (máx.): -30,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (encendido) (máx.) (@4.5V): -; RDS (encendido) (máx.) (@2.5V):

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BSO303P INFINEON2010+SOP-8Nééåºæåºç®¡ MOSFET de canal P; Paquete: P-DSO-8; Paquete: SO-8; VDS (máx.): -30,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 21,0 mOhm; RDS (encendido) (máx.) (@4.5V): 32.0 mOhm; R
BSO303SP INFINEON11+SOP-8Néé30.0 v åºæåºç®¡MOSFET de canal P; Paquete: P-DSO-8; Paquete: SO-8; VDS (máx.): -30,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 21,0 mOhm; RDS (encendido) (máx.) (@4.5V): 31.0
BSC110N06NS3 INFINEON11+TDSON-8Néé30.0 v åºæåºç®¡MOSFET de canal P; Paquete: P-DSO-8; Paquete: SO-8; VDS (máx.): -30,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (encendido) (máx.) (@4.5V): 12.0 m
BSO301SP INFINEON11+SOP-8Néé30.0 v åºæåºç®¡MOSFET de canal P; Paquete: P-DSO-8; Paquete: SO-8; VDS (máx.): -30,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (encendido) (máx.) (@4.5V): 12.0 m
BSO080P03S INFINEON11+SOP-8Néé30.0 v åºæåºç®¡MOSFET de canal P; Paquete: PG-DSO-8; Paquete: SO-8; VDS (máx.): -30,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (encendido) (máx.) (@4.5V): -; RD
BSO080P03NS3E INFINEON11+SOP-8Néé30.0 v åºæåºç®¡MOSFET de canal P; Paquete: PG-DSO-8; Paquete: SO-8; VDS (máx.): -30,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (encendido) (máx.) (@4.5V): -; RD
BSC110N06NS3G INFINEON11+TDSON-8néé60.0 v 50.0 aåºæåºç¡® MOSFET de canal n (20Vâ¦250V); Paquete: PG-TDSON-8; Paquete: SuperSO8; VDS (máx.): 60,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 11.0 mOhm; RDS (o
BSC106N025SG INFINEON11+P-DSO-8Nééåºæåºç®¡OptiMOSâ2 Power-Transistor
BSC100N06LS3G INFINEON11+TDSON-8Néé 60.0 V 50.0 aåºæåºç¡® MOSFET de canal N (20Vâ¦250V); Paquete: PG-TDSON-8; Paquete: SuperSO8; VDS (máx.): 60,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (
BSC152N10NSFG INFINEON11+TDSON-8MOSFET de canal N Néé 100.0 V 63.0 Aåºæåºç®¡N-Channel (20Vâ¦250V); Paquete: PG-TDSON-8; Paquete: SuperSO8; VDS (máx.): 100,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 15,2 mOhm; RDS

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RDE7U3A150J2K1H03B Murata Fabricación Co Ltd24+çμ容Condensador: cerámica, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Electrónica24+è¿æ¥å ̈CABEZAL DE CONEXIÓN R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN Corporación OMRON24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - A granel (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
C-1106437 Conectividad TE24+è¿æ¥å ̈Accesorios Conector Campana Aluminio Fundido a Presión Pieza Suelta
KH208-8 Vitrohm24+ZAMBULLIDAResistencia, 100 miliohmios, 10%, 5 W, con cable axial, bobinado, potencia (alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Anfenol Positrónico23+ZAMBULLIDA©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Tecnologías energéticas de Amphenol24+è¿æ¥å ̈Conector 309, 3P + N + E / 5W - 60A - Conector - 277/480V keway 7h, IP67
HBL430B7W Cableado de las instalaciones de Hubbell24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, ENTRADA, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Corporación Amphenol24+è¿æ¥å ̈Conector circular Conector macho tamaño 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈relé - Enchufable, 4 polos, bobina de CA
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§çμå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 Conectores AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 Conectores AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 Conectores AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 Conectores AB24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 Iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Transformador monofásico de control y aislamiento
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP

INFINEONåç产åæ ̈è


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BSO080P03NS3E INFINEON11+SOP-8Néé30.0 v åºæåºç®¡MOSFET de canal P; Paquete: PG-DSO-8; Paquete: SO-8; VDS (máx.): -30,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (encendido) (máx.) (@4.5V): -; RD
BSC110N06NS3G INFINEON11+TDSON-8néé60.0 v 50.0 aåºæåºç¡® MOSFET de canal n (20Vâ¦250V); Paquete: PG-TDSON-8; Paquete: SuperSO8; VDS (máx.): 60,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 11.0 mOhm; RDS (o
BSC106N025SG INFINEON11+P-DSO-8Nééåºæåºç®¡OptiMOSâ2 Power-Transistor
BSC100N06LS3G INFINEON11+TDSON-8Néé 60.0 V 50.0 aåºæåºç¡® MOSFET de canal N (20Vâ¦250V); Paquete: PG-TDSON-8; Paquete: SuperSO8; VDS (máx.): 60,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (
BSC152N10NSFG INFINEON11+TDSON-8MOSFET de canal N Néé 100.0 V 63.0 Aåºæåºç®¡N-Channel (20Vâ¦250V); Paquete: PG-TDSON-8; Paquete: SuperSO8; VDS (máx.): 100,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 15,2 mOhm; RDS
BSC085N025SG INFINEON11+TDSON-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ2 Power-Transistor
BSC076N06NS3G INFINEON11+TDSON-8Néé60.0 V 50.0 A åºæåºç¡® MOSFET de canal N (20Vâ¦250V); Paquete: PG-TDSON-8; Paquete: SuperSO8; VDS (máx.): 60,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 7,6 mOhm; RDS (o
BSC072N025SG INFINEON11+TDSON-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ2 Power-Transistor
BSC067N06LS3G INFINEON11+TDSON-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ2 Power-Transistor
BSC118N10NSG INFINEON11+P-DSO-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ2 Power-Transistor
BSC048N025SG INFINEON11+P-DSO-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ2 Power-Transistor
BSC037N025SG INFINEON11+P-DSO-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSâ2 Power-Transistor
BSC035N04LSG INFINEON11+HIJO-8Néé 40.0 V; MOSFET de canal N de 100.0 Aåºæåºç®¡N-Channel (20Vâ¦250V); Paquete: PG-TDSON-8; Paquete: SuperSO8; VDS (máx.): 40,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 3,5 mOhm; RDS (
BSC028N06LS3G INFINEON11+HIJO-8Néé 60.0 V; MOSFET de canal N de 100.0 Aåºæåºç®¡N-Channel (20Vâ¦250V); Paquete: PG-TDSON-8; Paquete: SuperSO8; VDS (máx.): 60,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 2,8 mOhm; RDS (
BSC027N04LSG INFINEON11+HIJO-8Néé 40.0 V 100.0 Aåºæåºç¡® MOSFET de canal N (20Vâ¦250V); Paquete: PG-TDSON-8; Paquete: SuperSO8; VDS (máx.): 40,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (o
BSC024N025SG INFINEON11+HIJO-8Néé 40.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡OptiMOSâ2 Power-Transistor
BSC020N025SG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡OptiMOSâ2 Power-Transistor
BSC019N04NSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 Aåºæåºç¡® MOSFET de canal N (20Vâ¦250V); Paquete: PG-TDSON-8; Paquete: SuperSO8; VDS (máx.): 40,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 1,9 mOhm; RDS (o
BSC018N04LSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 Aåºæåºç¡® MOSFET de canal N (20Vâ¦250V); Paquete: PG-TDSON-8; Paquete: SuperSO8; VDS (máx.): 40,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o
BSC017N04NSG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 Aåºæåºç¡® MOSFET de canal N (20Vâ¦250V); Paquete: PG-TDSON-8; Paquete: SuperSO8; VDS (máx.): 40,0 V; RDS (encendido) (máx.) (@10V): 1,6 mOhm; RDS (o

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