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BSC110N06NS3
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  • 产åå称ï1/4Néé30.0 V åºæåºç¡® MOSFET a canale P; Pacchetto: P-DSO-8; Pacchetto: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): 12.0 m
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BSC110N06NS3 Néé30.0 V åºæåºç®¡MOSFET a canale P; Pacchetto: P-DSO-8; Pacchetto: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (acceso) (max) (@4,5 V): 12,0 mOhm; RDS (on) (massimo) (@2,5 V):

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IRF6215LPBF INFINEON2010+TO-263MOSFET di potenza HEXFET a canale P singolo da 150 V® in un package D2-Pak; Simile a IRF6215STRL con imballaggio senza piombo
IRF6215STRLPBF INFINEON2010+TO-263MOSFET di potenza HEXFET a canale P singolo da 150 V® in un package D2-Pak; Simile a IRF6215STRL con imballaggio senza piombo
IRF6215SPBF INFINEON2010+TO-263MOSFET® DI POTENZA HEXFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ã , ID=-13A )
BSO303P INFINEON2010+SOP-8Nééåºæåºç®¡ MOSFET a canale P; Pacchetto: P-DSO-8; Pacchetto: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 21,0 mOhm; RDS (acceso) (max) (@4,5 V): 32,0 mOhm; R
BSO303SP INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç¡® MOSFET a canale P; Pacchetto: P-DSO-8; Pacchetto: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 21,0 mOhm; RDS (acceso) (massimo) (@4,5 V): 31,0
BSO301SP INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç¡® MOSFET a canale P; Pacchetto: P-DSO-8; Pacchetto: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): 12.0 m
BSO080P03S INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç¡® MOSFET a canale P; Pacchetto: PG-DSO-8; Pacchetto: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (acceso) (massimo) (@4.5V): -; RD
BSO080P03NS3 INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç¡® MOSFET a canale P; Pacchetto: PG-DSO-8; Pacchetto: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (acceso) (massimo) (@4.5V): -; RD
BSO080P03NS3E INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç¡® MOSFET a canale P; Pacchetto: PG-DSO-8; Pacchetto: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (acceso) (massimo) (@4.5V): -; RD
BSC110N06NS3G INFINEON11+TDSON-8Néé60.0 V 50.0 MOSFET a canale N® (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TDSON-8; Pacchetto: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 11,0 mOhm; RDS (o

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RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+IMMERGERECondensatore: ceramico, 4,7 nF, 1 kV, U2J, ±5%, THT, 5 mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+IMMERGEREè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 Connettori AB24+è¿æ¥å ̈Connettore circolare MIL Spec ER 5C 5#16S SKT PLUG
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Condensatore: ceramico, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 Elettronica JAE24+è¿æ¥å ̈CONNETTORE CONN R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Codice C-1106437 Connettività TE24+è¿æ¥å ̈Accessori per connettori Cappuccio in alluminio pressofuso Pezzo sciolto
KH208-8 Vitrohm24+IMMERGERERegione, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, Conduttori Assiali, Filo Avvolto, Potenza (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+IMMERGERE©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Tecnologie energetiche Amphenol24+è¿æ¥å ̈309 Connettore,3P+N+T / 5W - 60A - Connettore - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Cablaggio Hubbell Premise24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, INGRESSO, 3P4W, 30A 3P 480V, 4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Connettore circolare Connettore Spina Dimensione 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈relè - Plug-in, 4 poli, bobina CA
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§çμå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 Connettori AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
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ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 Connettori AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 Connettori AB24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 Iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£

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BSO301SP INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç¡® MOSFET a canale P; Pacchetto: P-DSO-8; Pacchetto: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (on) (max) (@4.5V): 12.0 m
BSO080P03S INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç¡® MOSFET a canale P; Pacchetto: PG-DSO-8; Pacchetto: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (acceso) (massimo) (@4.5V): -; RD
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BSC110N06NS3G INFINEON11+TDSON-8Néé60.0 V 50.0 MOSFET a canale N® (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TDSON-8; Pacchetto: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 11,0 mOhm; RDS (o
BSC106N025SG INFINEON11+P-DSO-8Nééåºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Transistor di potenza
BSC100N06LS3G INFINEON11+TDSON-8Néé 60.0 V 50.0 Aåºæåºç®¡MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TDSON-8; Pacchetto: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (
BSC152N10NSFG INFINEON11+TDSON-8Néé 100.0 V 63.0 Aåºæåºç®¡MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TDSON-8; Pacchetto: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (on) (max) (@10V): 15,2 mOhm; RDS
BSC085N025SG INFINEON11+TDSON-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Power-Transistor
BSC076N06NS3G INFINEON11+TDSON-8Néé60.0 V 50.0 A åºæåºç¡® MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TDSON-8; Pacchetto: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 7,6 mOhm; RDS (o
BSC072N025SG INFINEON11+TDSON-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Power-Transistor
BSC067N06LS3G INFINEON11+TDSON-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Power-Transistor
BSC118N10NSG INFINEON11+P-DSO-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Power-Transistor
BSC048N025SG INFINEON11+P-DSO-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Power-Transistor
BSC037N025SG INFINEON11+P-DSO-8Néé åºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Power-Transistor
BSC035N04LSG INFINEON11+FIGLIO-8Néé 40.0 V; 100.0 MOSFET a canale N® (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TDSON-8; Pacchetto: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 3,5 mOhm; RDS (
BSC028N06LS3G INFINEON11+FIGLIO-8Néé 60.0 V; 100.0 MOSFET a canale N® (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TDSON-8; Pacchetto: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 2,8 mOhm; RDS (
BSC027N04LSG INFINEON11+FIGLIO-8Néé 40.0 V 100.0 Aåºæåºç¡® MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TDSON-8; Pacchetto: SuperSO8; VDS (max): 40,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (o
BSC024N025SG INFINEON11+FIGLIO-8Néé 40.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Transistor di Potenza
BSC020N025SG INFINEON11+TDSON-8Néé 40.0 V 100.0 Aåºæåºç®¡OptiMOSã¢2 Transistor di Potenza

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