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PH4830L |
NXP (Englisch) |
10+ |
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PH4330L |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PSMN4R0-30YL |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH3830L |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PSMN3R5-30YL |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH3330L |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PSMN059-150Y |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH20100S |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH2525L |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH4025L |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH5525L |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH6325L |
NXP (Englisch) |
10+ |
Næ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH955L |
NXP (Englisch) |
09+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH9025L |
NXP (Englisch) |
0927+ |
N-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 66 A; Qgd (typisch): 2,7 nC; RDS(ein): [email protected] V 9@10 V mOhm; VDSmax: 25,0 V; |
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PMV65XP |
NXP (Englisch) |
11+ |
Pæ²éTrenchMOSåºæåºç®¡ P-Kanal TrenchMOS(tm) extrem niedriger Pegel FET - Konfiguration: Einzelner P-Kanal ; Innendurchmesser: 3,9 A; Qgd (typisch): 0,65 nC; RDS(ein): [email protected] |
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2N7002E |
NXP (Englisch) |
11+ |
Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V |
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2N7002K |
NXP (Englisch) |
11+ |
Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V |
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BSN20 |
NXP (Englisch) |
11+ |
Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Feldeffekttransistor im N-Kanal-Verstärkungsmodus - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,173 A; RDS(ein): 15000@10V20000@5V mOhm; |
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PMBF170 |
NXP (Englisch) |
11+ |
Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Standalone-Ladegerät mit 750 mA Li-Ion in 2 x 2 DFN; Paket: DFN; Anzahl der Pins: 6; Temperaturbereich: -40 °C bis +125 °C |
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BSP125 |
INFINEON |
11+ |
SIPMOSå°ä¿¡å·æ¶ä1/2管ï1/4Nééå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4ï1/4 |
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