| åå· | åå | æ¹å· | å°è£ | è ̄'æ |
|
PH3330L
| NXP | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PSMN059-150Y
| NXP | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH20100S
| NXP | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH2525L
| NXP | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH4025L
| NXP | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH5525L
| NXP | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH6325L
| NXP | 10+ | SOT-669 | Næ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH955L
| NXP | 09+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH9025L
| NXP | 0927+ | SOT-669 | N kanalo TrenchMOS loginis lygis FET - Konfigūracija: Vienas N kanalas ; ID DC: 66 A; Qgd (tipinis): 2,7 nC; RDS (įjungta):[email protected]V 9@10 V mOhm; VDSmax: 25,0 V; |
|
PMV65XP
| NXP | 11+ | SOT-23-3 | Pæ²éTrenchMOSåºæåºç®¡ P kanalas TrenchMOS(tm) itin žemo lygio FET - Konfigūracija: Vienas P kanalas ; ID DC: 3,9 A; Qgd (tipinis): 0,65 nC; RDS (įjungta):[email protected] |
|
2N7002E
| NXP | 11+ | SOT-23 | Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管N-channel TrenchMOS FET - Konfigūracija: Vienas N-kanalas ; ID DC: 0,3 A; RDS (įjungta): 4400@[email protected]mOhm; VDSmax: 60 V |
|
2N7002K
| NXP | 11+ | SOT-23 | Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管N-channel TrenchMOS FET - Konfigūracija: Vienas N-kanalas ; ID DC: 0,3 A; RDS (įjungta): 4400@[email protected]mOhm; VDSmax: 60 V |
|
BSN20
| NXP | 11+ | SOT-23 | Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管 N-kanalo patobulinimo režimo lauko tranzistorius - Konfigūracija: Vieno N kanalo ; ID DC: 0,173 A; RDS (įjungta): 15000@10V20000@5V mOhm; |
|
PMBF170
| NXP | 11+ | SOT-23 | Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管 Autonominis 750 mA ličio jonų akumuliatoriaus įkroviklis 2 x 2 DFN; Pakuotė: DFN; Smeigtukų skaičius: 6; Temperatūros diapazonas: nuo -40 ° C iki + 125 ° C |
|
PMN50XP
| NXP | 10+PB | SOT23-6 | Pæ²éTrenchMOSéå ̧ ̧ä1/2çæ°'å¹³åºæåºç®¡ |
|
BC847C
| NXP | 10+ | SOT-23 | äºæ管 |
|
SI2304DS
| NXP | 11+ | SOT23-3 | Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管N kanalo patobulinimo režimo lauko efekto tranzistorius - Konfigūracija: Vieno N kanalo ; ID DC: 1,7 A; Qgd (tipinis): 1,35 nC; RDS (įjungta): 117@10V1 |
|
PMV117EN
| NXP | 11+ | SOT23-3 | 30 V uTrenchMOSå¢å1/4ºåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³ micro TrenchMOS(tm) patobulintas loginis lygis FET - Konfigūracija: Vienas N kanalas ; ID DC: 2,5 A; Qgd (tipinis): 1,35 nC; RDS( |
|
BSH108
| NXP | 11+ | SOT23-3 | 30 V Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管N-kanalo stiprinimo režimo lauko tranzistorius - Konfigūracija: Vienas N-kanalas ; ID DC: 1,9 A; Qgd (tipinis): 1,3 nC; RDS (įjungta): 1 |
|
BSH114
| NXP | 11+ | SOT23-3 | Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管N-kanalo stiprinimo režimo lauko efekto tranzistorius - Konfigūracija: Vieno N kanalo ; ID DC: 0,85 A; Qgd (tipinis): 2,1 nC; RDS (įjungta): 500@10V |