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PMV65XP
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PMV65XP

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  • 产åå称ï1/4Pæ²éTrenchMOSåºæåºç®¡ P-Kanal TrenchMOS(tm) extrem niedriger Pegel FET - Konfiguration: Einzelner P-Kanal ; Innendurchmesser: 3,9 A; Qgd (typisch): 0,65 nC; RDS(ein): [email protected]
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PMV65XP Pæ²éTrenchMOSåºæåºç®¡ P-Kanal TrenchMOS(tm) FET mit extrem niedrigem Pegel - Konfiguration: Einzelner P-Kanal ; Innendurchmesser: 3,9 A; Qgd (typisch): 0,65 nC; RDS(ein): [email protected]@2,5 V mOhm; VDSmax: 20 V; Gehäuse: SOT23 (TO-236AB); Behälter: Bandrolle SMD

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OPA843 TI09+5SOT-23, 8SOIC®å 1/2å ̧¦ä1/2失çä ̧çå¢ççμååé¦è¿ç®æ3/4大å ̈
OPA842   5SOT-23, 8SOIC®å 1/2å ̧¦ä1/2失çåä1/2å¢çç ̈³å®ççμååé¦è¿ç®æ3/4大å ̈
OPA830 TI10+5SOT-23, 8SOICOPA830ï1/4ä1/2åèåçμæºè¿ç®æ3/4大å ̈
PH9025L NXP (Englisch)0927+SOT-669N-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 66 A; Qgd (typisch): 2,7 nC; RDS(ein): [email protected] V 9@10 V mOhm; VDSmax: 25,0 V;
OPA820 TI10+5SOT-23, 8SOICÅä1/2å¢çç ̈³å®Ä1/2åªå£°çμååé¦è¿ç®æ3/4大å ̈
OPA699M TI10+8CDIP SBå¢ç +4 ç ̈³å®å®1/2å ̧¦éåæ3/4大å ̈
OPA699 TI10+8SOICOPA699ï1/4å®1/2å ̧¦é«å¢çéåæ3/4大å ̈
2N7002E NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V
2N7002K NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V
OPA698M TI10+8CDIP SBåä1/2å¢çç ̈³å®å®1/2å ̧¦éåæ3/4大å ̈

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RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP

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2N7002E NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V
2N7002K NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V
BSN20 NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Feldeffekttransistor im N-Kanal-Verstärkungsmodus - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,173 A; RDS(ein): 15000@10V20000@5V mOhm;
PMBF170 NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Standalone-Ladegerät mit 750 mA Li-Ion in 2 x 2 DFN; Paket: DFN; Anzahl der Pins: 6; Temperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
PMN50XP NXP (Englisch)10+PBSOT23-6Pæ²éTrenchMOSéå ̧ ̧ä1/2çæ°'å¹³åºæåºç®¡
BC847C NXP (Englisch)10+SOT-23äºæ管
SI2304DS NXP (Englisch)11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 1,7 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS(ein): 117@10V1
PMV117EN NXP (Englisch)11+SOT23-330 V uTrenchMOSå¢å1/4ºåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³ micro TrenchMOS(tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 2,5 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS(
BSH108 NXP (Englisch)11+SOT23-330 V Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 1,9 A; Qgd (typisch): 1,3 nC; RDS(ein): 1
BSH114 NXP (Englisch)11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,85 A; Qgd (typisch): 2,1 nC; RDS(ein): 500@10V
PMV213SN NXP (Englisch)11+SOT23-3100 V Næ²éå¢å1/4ºé»è3/4çμå¹³FET -é ç1/2®:åN-Kanal ID
PMV45EN NXP (Englisch)11+SOT23-3å¢å1/4ºé»è3/4çμå¹³FET -é ç1/2®:åN-channel IDåºå¡:ä ̧ç§;; Qgd(æå5.4):1.9æ°æ§; å ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈); VDSmax mOhm:42@[email protected]:30ä1/4; å è£ :SOT23(TO-236ABç£å ̧¦å·); éè£ ç®±:smd
UDA1341TS NXP (Englisch)1041+SSOPEconomy Audio CODEC für MiniDisc (MD) Heimstereo und tragbare Anwendungen (å ̈嶮 ç ̈ç«ä1/2声å3/4®åç£çåä3/4¿æºåºç ̈ä ̧çç»æμåé³é¢ç1/4解ç å ̈)
BT131-800E NXP (Englisch)10+TO-92å ̄æ§ç¡ Triacs Logikpegel - IGT: 5 mA; Ist (RMS): 1 A; VDRM: 800 V; Gehäuse: SOT54 (TO-92); Behälter: Rollenpaket axial radial
BT131-800D NXP (Englisch)10+TO-92å ̄æ§ç¡ Triacs Logikpegel - IGT: 5 mA; Ist (RMS): 1 A; VDRM: 800 V; Gehäuse: SOT54 (TO-92); Behälter: Rollenpaket axial radial
74HC245D NXP (Englisch)06+SOP20 
BGO747/FC0 NXP (Englisch)09+HYB 
R13 FR V394 NXP (Englisch)09+QFP 
PCD80703HL/B NXP (Englisch)07+/08+TQFP64 
UAA3545 NXP (Englisch)07+LQFP32 

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