ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
PSMN059-150Y
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

PSMN059-150Y

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
  • ååï1/4NXP (Englisch)
  • ç产æ¹å·ï1/410+
  • å°è£ ï1/4SOT669
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/49000
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找PSMN059-150Yçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

PSMN059-150Y N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 43 A; Qgd (typisch): 9,1 nC; RDS(ein): 59@10V mOhm; VDSmax: 150 V

ä ̧PSMN059-150Yç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
PH3830L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PSMN3R5-30YL NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
THS4032 TI09+åè· ̄ 100MHz ä1/2åªå£°çμååé¦æ3/4大å ̈8MSOP-PowerPAD, 8SOIC
PH3330L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
THS4031M TI10+8MSOP-PowerPAD, 8SOIC100MHz ä1/2åªå£°çμååé¦æ3/4大å ̈
PH20100S NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH2525L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH4025L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH5525L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
THS4022 TI11+8MSOP-PowerPAD, 8SOICåè· ̄ 350MHz ä1/2åªå£°çμååé¦æ3/4大å ̈

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP
S3T-R-F5 DATENLOGIK22+DIPOptoelektronische Sensoren
M393A8G40BB4-CWE Samsung (Englisch)21+BGA (Englisch)Samsung 64GB 2Rx4 PC4-3200 RDIMM DDR4-25600
TLP759(J,F) Toshiba21+DIPOptokoppler DC-IN 1-CH Transistor mit Basis DC-OUT 8-Pin PDIP
D-U204-ELK Mors Smitt24+继çμå ̈ç¬æ¶ç»§çμå ̈
RC16M23D28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundkontakte Crimp-Buchsenkontakt 16-20 AWG
CM300DY-24J Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé
CM300DY-24Y Mitsubishi2021+æ ̈¡åMitsubishi Electric 1200 V 300 IGBTæ ̈¡å, å, PCB, Néé

NXPåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
PH20100S NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH2525L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH4025L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH5525L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH6325L NXP (Englisch)10+SOT-669Næ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH955L NXP (Englisch)09+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH9025L NXP (Englisch)0927+SOT-669N-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 66 A; Qgd (typisch): 2,7 nC; RDS(ein): [email protected] V 9@10 V mOhm; VDSmax: 25,0 V;
PMV65XP NXP (Englisch)11+SOT-23-3Pæ²éTrenchMOSåºæåºç®¡ P-Kanal TrenchMOS(tm) extrem niedriger Pegel FET - Konfiguration: Einzelner P-Kanal ; Innendurchmesser: 3,9 A; Qgd (typisch): 0,65 nC; RDS(ein): [email protected]
2N7002E NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V
2N7002K NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V
BSN20 NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Feldeffekttransistor im N-Kanal-Verstärkungsmodus - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,173 A; RDS(ein): 15000@10V20000@5V mOhm;
PMBF170 NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Standalone-Ladegerät mit 750 mA Li-Ion in 2 x 2 DFN; Paket: DFN; Anzahl der Pins: 6; Temperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
PMN50XP NXP (Englisch)10+PBSOT23-6Pæ²éTrenchMOSéå ̧ ̧ä1/2çæ°'å¹³åºæåºç®¡
BC847C NXP (Englisch)10+SOT-23äºæ管
SI2304DS NXP (Englisch)11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 1,7 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS(ein): 117@10V1
PMV117EN NXP (Englisch)11+SOT23-330 V uTrenchMOSå¢å1/4ºåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³ micro TrenchMOS(tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 2,5 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS(
BSH108 NXP (Englisch)11+SOT23-330 V Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 1,9 A; Qgd (typisch): 1,3 nC; RDS(ein): 1
BSH114 NXP (Englisch)11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,85 A; Qgd (typisch): 2,1 nC; RDS(ein): 500@10V
PMV213SN NXP (Englisch)11+SOT23-3100 V Næ²éå¢å1/4ºé»è3/4çμå¹³FET -é ç1/2®:åN-Kanal ID
PMV45EN NXP (Englisch)11+SOT23-3å¢å1/4ºé»è3/4çμå¹³FET -é ç1/2®:åN-channel IDåºå¡:ä ̧ç§;; Qgd(æå5.4):1.9æ°æ§; å ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈); VDSmax mOhm:42@[email protected]:30ä1/4; å è£ :SOT23(TO-236ABç£å ̧¦å·); éè£ ç®±:smd

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·