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PH3330L N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS N-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 100 A; Qgd (typisch): 6,9 nC; RDS(ein): [email protected] V 3,3@10 V mOhm; VDSmax: 30,0 V

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PH3330L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS

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FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
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ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
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RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
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ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
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PSMN059-150Y NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
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PH9025L NXP (Englisch)0927+SOT-669N-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 66 A; Qgd (typisch): 2,7 nC; RDS(ein): [email protected] V 9@10 V mOhm; VDSmax: 25,0 V;
PMV65XP NXP (Englisch)11+SOT-23-3Pæ²éTrenchMOSåºæåºç®¡ P-Kanal TrenchMOS(tm) extrem niedriger Pegel FET - Konfiguration: Einzelner P-Kanal ; Innendurchmesser: 3,9 A; Qgd (typisch): 0,65 nC; RDS(ein): [email protected]
2N7002E NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V
2N7002K NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V
BSN20 NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Feldeffekttransistor im N-Kanal-Verstärkungsmodus - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,173 A; RDS(ein): 15000@10V20000@5V mOhm;
PMBF170 NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Standalone-Ladegerät mit 750 mA Li-Ion in 2 x 2 DFN; Paket: DFN; Anzahl der Pins: 6; Temperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
PMN50XP NXP (Englisch)10+PBSOT23-6Pæ²éTrenchMOSéå ̧ ̧ä1/2çæ°'å¹³åºæåºç®¡
BC847C NXP (Englisch)10+SOT-23äºæ管
SI2304DS NXP (Englisch)11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 1,7 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS(ein): 117@10V1
PMV117EN NXP (Englisch)11+SOT23-330 V uTrenchMOSå¢å1/4ºåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³ micro TrenchMOS(tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 2,5 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS(
BSH108 NXP (Englisch)11+SOT23-330 V Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 1,9 A; Qgd (typisch): 1,3 nC; RDS(ein): 1
BSH114 NXP (Englisch)11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,85 A; Qgd (typisch): 2,1 nC; RDS(ein): 500@10V
PMV213SN NXP (Englisch)11+SOT23-3100 V Næ²éå¢å1/4ºé»è3/4çμå¹³FET -é ç1/2®:åN-Kanal ID

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