| е· | ех | æ¹å· | е°è£ | è ̄'æ |
|
PH2525L
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH4025L
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH5525L
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH6325L
| NXP | 10+ | СОТ-669 | Næ²éåºæºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
РН955Л
| NXP | 09+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH9025L
| NXP | 0927+ | СОТ-669 | N-канальный TrenchMOS логического уровня FET - Конфигурация: Один N-канал; Идентификационный номер DC: 66 А; Qgd (тип): 2,7 нГц; RDS(on): [email protected] В 9@10 В мОм; VDSmax: 25.0 В; |
|
PMV65XP
| NXP | 11+ | СОТ-23-3 | P-канал P-канал TrenchMOS(® tm) экстремально низкоуровневый FET - Конфигурация: Один P-канал; Внутренний постоянный ток: 3,9 А; Qgd (тип): 0,65 нГц; RDS(on): [email protected] |
|
2Н7002Э
| NXP | 11+ | СОТ-23 | Næ²å¢å1/4ºååºæ榶ä1/2管N-channel TrenchMOS FET - Конфигурация: Одиночный N-канал; Внутренний постоянный ток: 0,3 А; RDS(вкл.): 4400@[email protected] мОм; VDSmax: 60 В |
|
2Н7002К
| NXP | 11+ | СОТ-23 | Næ²å¢å1/4ºååºæ榶ä1/2管N-channel TrenchMOS FET - Конфигурация: Одиночный N-канал; Внутренний постоянный ток: 0,3 А; RDS(вкл.): 4400@[email protected] мОм; VDSmax: 60 В |
|
БСН20
| NXP | 11+ | СОТ-23 | ® N-канальный полевой транзистор с эффектом в режиме усиления N-канала - Конфигурация: Один N-канал; Внутренний DC: 0,173 А; RDS(on): 15000@10V20000@5V мОм; |
|
PMBF170
| NXP | 11+ | СОТ-23 | ® Автономное зарядное устройство для литий-ионного аккумулятора емкостью 750 мА в 2 x 2 DFN; Упаковка: DFN; Количество кеглей: 6; Диапазон температур: от -40°C до +125°C |
|
PMN50XP
| NXP | 10+ПБ | СОТ23-6 | Pæ²éTrenchMOSéå ̧ ̧ä1/2çæ°'å¹³ºæ管 |
|
БК847С
| NXP | 10+ | СОТ-23 | äºæ管 |
|
SI2304DS
| NXP | 11+ | СОТ23-3 | Næ²é¢åå1/4ºååºææºæ¶ä1/2ç¡® N-channel режим усиления полевого транзистора - Конфигурация: Один N-канал; Внутренний DC: 1,7 А; Qgd (тип): 1,35 нГц; RDS(вкл.): 117@10V1 |
|
PMV117EN
| NXP | 11+ | СОТ23-3 | 30 В uTrenchMOSе¢å1/4ºåºææºæ°1/2管é»è3/4çμå¹³ micro TrenchMOS(tm) enhanced logic level FET - Конфигурация: Один N-канал; Внутренний постоянный ток: 2,5 А; Qgd (тип): 1,35 нГц; RDS( |
|
БШ108
| NXP | 11+ | СОТ23-3 | 30 В Næ²éå¢å1/4ºååºææºæ¶ä1/2ç¡N-канал® режим усиления полевого транзистора - Конфигурация: Один N-канал; Внутренний DC: 1,9 А; Qgd (тип): 1,3 нГц; RDS(вкл.): 1 |
|
БШ114
| NXP | 11+ | СОТ23-3 | Næ²éå¢å1/4ºååºææºæ¶ä1/2ç¡N-channel® mode field effect транзистор - Конфигурация: Один N-канал; Внутренний постоянный ток: 0,85 А; Qgd (тип): 2,1 нГц; RDS(on): 500@10V |
|
PMV213SN
| NXP | 11+ | СОТ23-3 | 100 V Næ²éå¢å1/4ºé»è3/4çμå¹³FET -é ç1/2®:åN-channel ID |
|
PMV45EN
| NXP | 11+ | СОТ23-3 | å¢å1/4ºé»è3/4çμå¹³FET -é ç1/2®:åN-channel IDåºå¡:ä ̧ç§;; Qgd(æå5.4):1.9æ°æ§; å ³ç³»е°æ®åº(å ̈); VDSmax мОм:42@[email protected]:30т1/4; å è£ :SOT23(TO-236ABç£å ̧¦å·); éè£ ç®±:smd |
|
UDA1341TS
| NXP | 1041+ | ССОП | Экономичный аудио кодек для домашних стерео и портативных приложений MiniDisc (MD) (å ̈家ç ̈ç«ä1/2声å3/4®åç£çä3/4¿æºçºç ̈ä ̧ç»æμåé³é¢ç1/4解ç å ̈) |