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PSMN059-150Y
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH20100S
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH2525L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH4025L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH5525L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH6325L
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-669 | Næ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH955L
| NXP (Englisch) | 09+ | SOT669 | æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
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PH9025L
| NXP (Englisch) | 0927+ | SOT-669 | N-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 66 A; Qgd (typisch): 2,7 nC; RDS(ein):[email protected]V 9@10 V mOhm; VDSmax: 25,0 V; |
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PMV65XP
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT-23-3 | Pæ²éTrenchMOSåºæåºç®¡ P-Kanal TrenchMOS(tm) extrem niedriger Pegel FET - Konfiguration: Einzelner P-Kanal ; Innendurchmesser: 3,9 A; Qgd (typisch): 0,65 nC; RDS(ein):[email protected] |
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2N7002E
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT-23 | Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400 @[email protected]mOhm; VDSmax: 60 V |
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2N7002K
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT-23 | Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400 @[email protected]mOhm; VDSmax: 60 V |
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BSN20
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT-23 | Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Feldeffekttransistor im N-Kanal-Verstärkungsmodus - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,173 A; RDS(ein): 15000@10V20000@5V mOhm; |
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PMBF170
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT-23 | Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Standalone-Ladegerät mit 750 mA Li-Ion in 2 x 2 DFN; Paket: DFN; Anzahl der Pins: 6; Temperaturbereich: -40 °C bis +125 °C |
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PMN50XP
| NXP (Englisch) | 10+PB | SOT23-6 | Pæ²éTrenchMOSéå ̧ ̧ä1/2çæ°'å¹³åºæåºç®¡ |
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BC847C
| NXP (Englisch) | 10+ | SOT-23 | äºæ管 |
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SI2304DS
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT23-3 | Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 1,7 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS(ein): 117@10V1 |
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PMV117EN
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT23-3 | 30 V uTrenchMOSå¢å1/4ºåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³ micro TrenchMOS(tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 2,5 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS( |
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BSH108
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT23-3 | 30 V Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 1,9 A; Qgd (typisch): 1,3 nC; RDS(ein): 1 |
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BSH114
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT23-3 | Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,85 A; Qgd (typisch): 2,1 nC; RDS(ein): 500@10V |
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PMV213SN
| NXP (Englisch) | 11+ | SOT23-3 | 100 V Næ²éå¢å1/4ºé»è3/4çμå¹³FET -é ç1/2®:åN-Kanal ID |