| éæ© | ç1/4©ç¥å3/4 | ç1/4å· | å¶é å | æ¹å· | è ̄'æ | èμæ | åºå | è ̄¢ä»· |
|---|
|
 |
PSMN057-200P |
NXP (Englisch) |
10+ |
Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 39 A; Qgd (typisch): 37 nC; RDS(ein): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V |
 |
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PSMN063-150D |
NXP (Englisch) |
10+ |
Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管Rundsteckverbinder; MIL SPEC: MIL-C-26482, Serie I, Löten; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT06; Anzahl der Kontakte:4; Steckergehäuse Siz |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PSMN070-200B |
NXP (Englisch) |
10+ |
Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT07; Anzahl der Kontakte:41; Größe des Steckergehäuses: 20; Beendigung der Verbindung:Cri |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PSMN070-200P |
NXP (Englisch) |
10+ |
N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 21,5 A; Qgd (typisch): 10,1 nC; RDS(ein): 102@10V mOhm; VDSmax: 200 V |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PSMN102-200Y |
NXP (Englisch) |
10+ |
N-Kanal TrenchMOS Standard Level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 21,5 A; Qgd (typisch): 10,1 nC; RDS(ein): 102@10V mOhm; VDSmax: 200 V |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PSMN130-200D |
NXP (Englisch) |
10+ |
N-Kanal TrenchMOS-Transistor (Næ²é TrenchMOSæ¶ä1/2管) |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PSMN1R7-30YL |
NXP (Englisch) |
10+ |
N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2@[email protected] mOhm; VDSmax: 3 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PH9930L |
NXP (Englisch) |
10+ |
N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2@[email protected] mOhm; VDSmax: 3 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PH8230E |
NXP (Englisch) |
10+ |
N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管 N-Kanal Trenchmos (tm) erweiterter Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 67 A; RDS(ein): 8,2@[email protected] mOhm; VDSmax: 3 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PH7030L |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PSMN7R0-30YL |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PH6030L |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PSMN6R0-30YL |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³Trenchmos (tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 80 A; Qgd (typisch): 6 nC; RDS(ein): [email protected]@4,5 V mOhm; V |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PH8030L |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PH4530L |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PH5330E |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PSMN3R0-30YL |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PSMN2R5-30YL |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PSMN2R0-30YL |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
PSMN5R0-30YL |
NXP (Englisch) |
10+ |
æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
