| éæ© | ç1/4©ç¥å3/4 | ç1/4å· | å¶é å | æ¹å· | è ̄'æ | èμæ | åºå | è ̄¢ä»· |
|---|
|
 |
IRLZ44STRL |
Vishay |
11+ |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
 |
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRLZ44STRLPBF |
Vishay |
11+ |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRLZ44STRR |
Vishay |
11+ |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
IRLZ44STRRPBF |
Vishay |
11+ |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
NTMS4107NR2G |
AUF |
11+ |
Leistungs-MOSFET 30 V, 18 A, einkanalig, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
NTMS4503NR2G |
AUF |
11+ |
Leistungs-MOSFET 28 V, 14 A, N-Kanal, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
NTMS4706NR2 |
AUF |
11+ |
Leistungs-MOSFET 30 V, 10,3 A, einkanalig, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
NTMS4706NR2G |
AUF |
11+ |
Leistungs-MOSFET 30 V, 10,3 A, einkanalig, SO-8; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
NTMS7N03R2 |
AUF |
11+ |
Leistung MOSFET 7 Ampere, 30 Volt; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
NTMS7N03R2G |
AUF |
11+ |
Leistung MOSFET 7 Ampere, 30 Volt; Gehäuse: SOIC-8 Schmalkörper; Anzahl der Pins: 8; Behälter: Band und Rolle; Menge pro Container: 2500 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
Si7478DP |
VISHAY |
10+PB |
Néé60 - Vå¿«éå1/4å ³MOSFET |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
SiE818DF |
VISHAY |
10+PB |
Néé60 - Vå¿«éå1/4å ³MOSFET |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
Si7460DP |
VISHAY |
10+PB |
Néé60 - Vå¿«éå1/4å ³MOSFET |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
Si4459ADY |
VISHAY |
10+PB |
P-Kanal 30-V (D-S) MOSFET Mit 3-kV ESD-Schutz VDS = -30V; VGS = ± 25V |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
Si4483ADY |
VISHAY |
10+PB |
P-Kanal 30-V (D-S) MOSFET Mit 3-kV ESD-Schutz VDS = -30V; VGS = ± 25V |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
Si2306BDS |
VISHAY |
10+PB |
Næ²éMOSFETï1/430Vï1/4D-Sï1/4 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
Si2304DDS (Englisch) |
VISHAY |
10+PB |
Næ²éå¢å1/4ºååºæåºæ¶ä1/2管 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
Si4922BDY |
VISHAY |
10+PB |
åNéé30Vï1/4D-Sï1/4MOSFET |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
Si7850DP |
VISHAY |
10+PB |
Néé60 - Vå¿«éå1/4å ³MOSFET |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
|
|
SI2301BDS |
VISHAY |
10+PB |
NPNç¡ å°é¢åçæ¶ä1/2管 |
|
æåºå |
è ̄¢ä»· |
