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NXP (Englisch) |
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NXP (Englisch) |
10+ |
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BUK950855B127 |
NXP (Englisch) |
10+ |
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PH2625L |
NXP (Englisch) |
2011+ |
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PH2925U |
NXP (Englisch) |
2011+ |
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PHB20NQ20T |
NXP (Englisch) |
2011+ |
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PHB21N06LT |
NXP (Englisch) |
2011+ |
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PHB33NQ20T |
NXP (Englisch) |
2011+ |
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PHD22NQ20T |
NXP (Englisch) |
2011+ |
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PHP20NQ20T |
NXP (Englisch) |
2011+ |
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PHP30NQ15T |
NXP (Englisch) |
2011+ |
Næ²éTrenchMOSâ©æ åæ°'å¹³åºæåºç®¡ |
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PHW80NQ10T |
NXP (Englisch) |
2011+ |
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PMV60EN |
NXP (Englisch) |
2011+ |
å¢å1/4ºåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³ |
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PSMN004-55W |
NXP (Englisch) |
10+ |
Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS N-Kanal Logikpegel TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 100 A; Qgd (typisch): 106 nC; RDS(ein): 4,2@ |
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PSMN005-75B |
NXP (Englisch) |
10+ |
Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminiumlegierung; Serie:MS3111; Anzahl der Kontakte:10; Größe der Steckerschale: 12; Verbindende Termi |
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PSMN009-100W |
NXP (Englisch) |
10+ |
Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMOS Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminiumlegierung; Serie:MS3111; Anzahl der Kontakte:10; Größe der Steckerschale: 12; Verbindende Termi |
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PSMN035-150P |
NXP (Englisch) |
10+ |
Næ²éæ¶ä1/2管TrenchMO N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 50 A; Qgd (typisch): 33 nC; RDS(ein): 35@10V |
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PSMN057-200B |
NXP (Englisch) |
10+ |
Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS (tm) Transistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 39 A; Qgd (typisch): 37 nC; RDS(ein): 57@10V mOhm; VDSmax: 200 V |
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