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IPB070N06LG |
INFINEON |
10+ |
MOSFET N-CH 60V 80A BIS-263 |
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PMN50XP |
NXP (Englisch) |
10+PB |
Pæ²éTrenchMOSéå ̧ ̧ä1/2çæ°'å¹³åºæåºç®¡ |
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SI2304DS |
NXP (Englisch) |
11+ |
Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 1,7 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS(ein): 117@10V1 |
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PMV117EN |
NXP (Englisch) |
11+ |
30 V uTrenchMOSå¢å1/4ºåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³ micro TrenchMOS(tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 2,5 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS( |
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BSH108 |
NXP (Englisch) |
11+ |
30 V Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 1,9 A; Qgd (typisch): 1,3 nC; RDS(ein): 1 |
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BSH114 |
NXP (Englisch) |
11+ |
Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,85 A; Qgd (typisch): 2,1 nC; RDS(ein): 500@10V |
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PMV213SN |
NXP (Englisch) |
11+ |
100 V Næ²éå¢å1/4ºé»è3/4çμå¹³FET -é ç1/2®:åN-Kanal ID |
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PMV45EN |
NXP (Englisch) |
11+ |
å¢å1/4ºé»è3/4çμå¹³FET -é ç1/2®:åN-channel IDåºå¡:ä ̧ç§;; Qgd(æå5.4):1.9æ°æ§; å ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈); VDSmax mOhm:42@[email protected]:30ä1/4; å è£ :SOT23(TO-236ABç£å ̧¦å·); éè£ ç®±:smd |
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IRFBC20 |
IR |
2010+ |
åçMOSFET (Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A) |
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IXTR200N10P |
IXYS |
10+ |
PolarHTåçMOSFET Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4 |
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IXTQ96N20P |
IXYS |
10+ |
PolarHTåçMOSFET Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4 |
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IXTQ82N25P |
IXYS |
10+ |
PolarHTåçMOSFET Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4 |
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IXTQ64N25P |
IXYS |
10+ |
PolarHTåçMOSFET Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4 |
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IXTQ250N075T |
IXYS |
10+ |
PolarHTåçMOSFET Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4 |
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IXTQ220N075T |
IXYS |
10+ |
PolarHTåçMOSFET Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4 |
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IXTQ200N075T |
IXYS |
10+ |
PolarHTåçMOSFET Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4 |
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IXTQ170N10P |
IXYS |
10+ |
PolarHTåçMOSFET Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4 |
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IXTQ160N075T |
IXYS |
10+ |
PolarHTåçMOSFET Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4 |
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IXTQ150N15P |
IXYS |
10+ |
PolarHTåçMOSFET Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4 |
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IXTQ150N06P |
IXYS |
10+ |
PolarHTåçMOSFET Næ²éå¢å1/4ºæ ̈¡å1/4 |
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