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IPB070N06LG
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IPB070N06LG

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  • 产åå称ï1/4MOSFET N-CH 60V 80A BIS-263
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IPB070N06LG MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

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OPA353 TI08+5SOT-23, 8SOICMicroAmplifier(TM) ç³»åé«éåçμæºè1/2 ̈è³è1/2 ̈è¿ç®æ3/4大å ̈
TPA2037D1 TI10+9DSBGAåºå®å¢ç 3.2W å声é D ç±»ï1/4å ·æéæ DAC åªå£°æ»¤æ³¢å ̈
TPA6012A4 TI10+HTSSOP24å ·æé«çº§ DC é³éæ§å¶ç 2W ç«ä1/2声é³é¢åçæ3/4大å ̈
OPA373 TI08+09+6SOT-23, 8SOIC6.5MHz 585uA è1/2 ̈è³è1/2 ̈ I/O CMOS è¿ç®æ3/4大å ̈
OPA374 TI10+5SOT-23, 8SOIC6.5MHzã585uAãè1/2 ̈è³è1/2 ̈ I/O CMOS è¿ç®æ3/4大å ̈
OPA377 TI10+5SC70, 5SOT-23, 8SOICä1/2ææ¬ãä1/2åªå£°ã5.5MHz CMOS è¿ç®æ3/4大å ̈
OPA380 TI10+8MSOP, 8SOICé«éç²3/4å ̄äºé»ææ3/4大å ̈
OPA602 TI10+8PDIP, 8SOICé«éç²3/4å ̄ Difet(R) è¿ç®æ3/4大å ̈
OPA604 TI10+8PDIP, 8SOICFET è3/4å ¥é³é¢è¿ç®æ3/4大å ̈
TPA6013A4 TI09+24-TSSOPå ·æé«çº§ DC é³éæ§å¶ç 3W ç«ä1/2声é³é¢åçæ3/4大å ̈

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RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Nr. C-1106437 TE Connectivity24+è¿æ¥å ̈Steckverbinder Zubehör Haube Aluminiumdruckguss loses Stück
KH208-8 Vitrohm24+DIPWiderstand, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axial bedrahtet, drahtgewickelt, Stromversorgung (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+DIP©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Stecker,3P+N+E / 5W - 60A - Stecker - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Verkabelung24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, EINGANG, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Rundsteckverbinder Steckverbinder Stecker Größe 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈Relais - Steckbar, 4-polig, AC-Spule
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§μå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB Steckverbinder23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Einphasiger Steuer- und Trenntransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP

INFINEONåç产åæ ̈è


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IRF6217PBF INFINEON2010+SOP-8Nééåºæåºç®¡ SMPS MOSFET HEXFETã¢Power MOSFET
IRFU6215PBF INFINEON2010+TO-251Nééåºæåºç®¡ HEXFET㢠Power MOSFET
IRFR6215TRLPBF INFINEON2010+TO-252150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRFR6215PBF INFINEON2010+TO-252150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRFR6215CTRLPBF INFINEON2010+TO-260150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRFR6215CPBF INFINEON2010+TO-260150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRF6215L-103PBF INFINEON2010+TO-261150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRF6215LPBF INFINEON2010+TO-263150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRF6215STRLPBF INFINEON2010+TO-263150V Nééåºæåºç®¡ -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse; Ähnlich wie IRF6215STRL mit bleifreier Verpackung
IRF6215SPBF INFINEON2010+TO-263HEXFET® POWER MOSFET ( VDSS=-150V , RDS(on)=0.29ã , ID=-13A )
BSO303P INFINEON2010+SOP-8Nééåºæåºç®¡ P-Kanal MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 21,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 32,0 mOhm; R
BSO303SP INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 21,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 31,0
BSC110N06NS3 INFINEON11+TDSON-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,0 m
BSO301SP INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: P-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 12,0 m
BSO080P03S INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; RD
BSO080P03NS3 INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; RD
BSO080P03NS3E INFINEON11+SOP-8Néé30.0 V åºæåºç®¡P-Kanal-MOSFETs; Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): -30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; RD
BSC110N06NS3G INFINEON11+TDSON-8Néé60.0 V 50.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 11,0 mOhm; RDS (o
BSC106N025SG INFINEON11+P-DSO-8Nééåºæåºç®¡OptiMOSâ¢2 Leistungstransistor
BSC100N06LS3G INFINEON11+TDSON-8Néé 60.0 V 50.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS (

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