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BSC252N10NSFG	INFINEON	11+	Néé 100.0 V 40.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 25,2 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC196N10NSG	INFINEON	11+	Néé 100.0 V 45.0 aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 19,6 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSO615NV	INFINEON	11+	å°ä¿¡å·æ¶ä1/2ç®¡--60,0 V 2,6 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): -; RDS (ein) (max.) (	æåºå	è ̄¢ä»·
BSO615N	INFINEON	11+	å°ä¿¡å·æ¶ä1/2ç®¡--60,0 V 2,6 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-DSO-8; Paket: SO-8; VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): -; RDS (ein) (max.) (	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC190N15NS3G	INFINEON	11+	Néé 150.0 V 50.0 aåºæåºç®¡N-Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 150,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 19,0 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC050N03LSG	INFINEON	11+	Néé 30.0 V 80.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,0 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC050N03MSG	INFINEON	11+	Néé 30.0 V 80.0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,0 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC042N03LSG	INFINEON	11+	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC042N03MSG	INFINEON	11+	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC042N03SG	INFINEON	11+	N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 6,5	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC032N03SG	INFINEON	11+	Næ²é 30,0 V 100,0 A; åºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,2 mOhm; R	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC079N03S	INFINEON	11+	Næ²é 30,0 V 40,0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 7,9 mOhm; RD	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC057N08NS3	INFINEON	11+	Næ²é 80,0 V 100,0 Aåºæåºç®¡N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,7 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC100N03LS	INFINEON	11+	Næ²é 30,0 V 44,0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC100N03MS	INFINEON	11+	Næ²é 30,0 V 44,0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 10,0 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC047N08NS3	INFINEON	11+	Næ²é 80,0 V 100,0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,7 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC090N03MS	INFINEON	11+	Næ²é 30,0 V 48,0 Aåºæåºç®¡ N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,0 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC080N03MS	INFINEON	11+	N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); 33.0 Zoll® N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,0 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC057N03LS	INFINEON	11+	N-Kanal-MOSFETs mit 30,0 V und 33,0® N-Kanal-MOSFETs (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,5 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·
BSC057N03MS	INFINEON	11+	N-Kanal-MOSFETs mit 30,0 V und 33,0® N-Kanal-MOSFETs (20 V bis 250 V); Gehäuse: PG-TDSON-8; Gehäuse: SuperSO8; VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,5 mOhm; RDS	æåºå	è ̄¢ä»·