| е· | ех | æ¹å· | е°è£ | è ̄'æ |
|
PSMN2R0-30YL
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PSMN5R0-30YL
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH4830L
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH4330L
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PSMN4R0-30YL
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH3830L
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PSMN3R5-30YL
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH3330L
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PSMN059-150Y
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH20100S
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH2525L
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH4025L
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH5525L
| NXP | 10+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH6325L
| NXP | 10+ | СОТ-669 | Næ²éåºæºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
РН955Л
| NXP | 09+ | СОТ669 | æ²ææºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS |
|
PH9025L
| NXP | 0927+ | СОТ-669 | N-канальный TrenchMOS логического уровня FET - Конфигурация: Один N-канал; Идентификационный номер DC: 66 А; Qgd (тип): 2,7 нГц; RDS(on):[email protected]В 9@10 В мОм; VDSmax: 25.0 В; |
|
PMV65XP
| NXP | 11+ | СОТ-23-3 | P-канал P-канал TrenchMOS(® tm) экстремально низкоуровневый FET - Конфигурация: Один P-канал; Внутренний постоянный ток: 3,9 А; Qgd (тип): 0,65 нГц; RDS(on):[email protected] |
|
2Н7002Э
| NXP | 11+ | СОТ-23 | Næ²å¢å1/4ºååºææ¦¶ä1/2管N-channel TrenchMOS FET - Конфигурация: Одиночный N-канал; Внутренний постоянный ток: 0,3 А; RDS(вкл.): 4400@[email protected]мОм; VDSmax: 60 В |
|
2Н7002К
| NXP | 11+ | СОТ-23 | Næ²å¢å1/4ºååºææ¦¶ä1/2管N-channel TrenchMOS FET - Конфигурация: Одиночный N-канал; Внутренний постоянный ток: 0,3 А; RDS(вкл.): 4400@[email protected]мОм; VDSmax: 60 В |
|
БСН20
| NXP | 11+ | СОТ-23 | ® N-канальный полевой транзистор с эффектом в режиме усиления N-канала - Конфигурация: Один N-канал; Внутренний DC: 0,173 А; RDS(on): 15000@10V20000@5V мОм; |