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PSMN2R0-30YL
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PSMN2R0-30YL

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PSMN2R0-30YL N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOSN-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET, SOT669 (LFPAK), Bandspule SMD

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PH5330E NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
THS4042 TI09+8MSOP-PowerPAD, 8SOICåè· ̄ 165MHz C ç ̈³å®çμååé¦æ3/4大å ̈
PSMN3R0-30YL NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PSMN2R5-30YL NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
THS4041-Q1 TI10+8SOICæ±1/2è1/2¦ç±» 165MHz C ç ̈³é«éæ3/4大å ̈
PSMN5R0-30YL NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH4830L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
THS4041 TI 8MSOP-PowerPAD, 8SOIC165MHz C ç ̈³å®çμååé¦æ3/4大å ̈
PH4330L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
THS4032-EP TI10+8MSOP-PowerPAD100MHz ä1/2åªå£°é«éæ3/4大å ̈

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JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
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ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
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PSMN3R5-30YL NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
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PH20100S NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
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PH4025L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH5525L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH6325L NXP (Englisch)10+SOT-669Næ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH955L NXP (Englisch)09+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH9025L NXP (Englisch)0927+SOT-669N-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 66 A; Qgd (typisch): 2,7 nC; RDS(ein): [email protected] V 9@10 V mOhm; VDSmax: 25,0 V;
PMV65XP NXP (Englisch)11+SOT-23-3Pæ²éTrenchMOSåºæåºç®¡ P-Kanal TrenchMOS(tm) extrem niedriger Pegel FET - Konfiguration: Einzelner P-Kanal ; Innendurchmesser: 3,9 A; Qgd (typisch): 0,65 nC; RDS(ein): [email protected]
2N7002E NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V
2N7002K NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V
BSN20 NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Feldeffekttransistor im N-Kanal-Verstärkungsmodus - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,173 A; RDS(ein): 15000@10V20000@5V mOhm;
PMBF170 NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Standalone-Ladegerät mit 750 mA Li-Ion in 2 x 2 DFN; Paket: DFN; Anzahl der Pins: 6; Temperaturbereich: -40 °C bis +125 °C

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