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PSMN5R0-30YL
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PSMN5R0-30YL N-æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOSN-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET, SOT669 (LFPAK), Bandspule SMD

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PSMN3R0-30YL NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PSMN2R5-30YL NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
THS4041-Q1 TI10+8SOICæ±1/2è1/2¦ç±» 165MHz C ç ̈³é«éæ3/4大å ̈
PSMN2R0-30YL NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
PH4830L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
THS4041 TI 8MSOP-PowerPAD, 8SOIC165MHz C ç ̈³å®çμååé¦æ3/4大å ̈
PH4330L NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS
THS4032-EP TI10+8MSOP-PowerPAD100MHz ä1/2åªå£°é«éæ3/4大å ̈
PSMN4R0-30YL NXP (Englisch)10+SOT669æ²éåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³TrenchMOS

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Nr. C193A/24EV-U1 æ²å°ç¹å®25+DIPSpannung 1100v elektrischer Strom 50Aæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
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PMV65XP NXP (Englisch)11+SOT-23-3Pæ²éTrenchMOSåºæåºç®¡ P-Kanal TrenchMOS(tm) extrem niedriger Pegel FET - Konfiguration: Einzelner P-Kanal ; Innendurchmesser: 3,9 A; Qgd (typisch): 0,65 nC; RDS(ein):[email protected]
2N7002E NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400 @[email protected]mOhm; VDSmax: 60 V
2N7002K NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400 @[email protected]mOhm; VDSmax: 60 V
BSN20 NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Feldeffekttransistor im N-Kanal-Verstärkungsmodus - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,173 A; RDS(ein): 15000@10V20000@5V mOhm;
PMBF170 NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Standalone-Ladegerät mit 750 mA Li-Ion in 2 x 2 DFN; Paket: DFN; Anzahl der Pins: 6; Temperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
PMN50XP NXP (Englisch)10+PBSOT23-6Pæ²éTrenchMOSéå ̧ ̧ä1/2çæ°'å¹³åºæåºç®¡

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