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PMV65XP
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PMV65XP

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  • 产åå称ï1/4Pæ²éTrenchMOSåºæåºç®¡ P-Kanal TrenchMOS(tm) extrem niedriger Pegel FET - Konfiguration: Einzelner P-Kanal ; Innendurchmesser: 3,9 A; Qgd (typisch): 0,65 nC; RDS(ein): [email protected]
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PMV65XP Pæ²éTrenchMOSåºæåºç®¡ P-Kanal TrenchMOS(tm) FET mit extrem niedrigem Pegel - Konfiguration: Einzelner P-Kanal ; Innendurchmesser: 3,9 A; Qgd (typisch): 0,65 nC; RDS(ein): [email protected]@2,5 V mOhm; VDSmax: 20 V; Gehäuse: SOT23 (TO-236AB); Behälter: Bandrolle SMD

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OPA843 TI09+5SOT-23, 8SOIC®å 1/2å ̧¦ä1/2失çä ̧çå¢ççμååé¦è¿ç®æ3/4大å ̈
OPA842   5SOT-23, 8SOIC®å 1/2å ̧¦ä1/2失çåä1/2å¢çç ̈³å®ççμååé¦è¿ç®æ3/4大å ̈
OPA830 TI10+5SOT-23, 8SOICOPA830ï1/4ä1/2åèåçμæºè¿ç®æ3/4大å ̈
PH9025L NXP (Englisch)0927+SOT-669N-Kanal TrenchMOS Logikpegel FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 66 A; Qgd (typisch): 2,7 nC; RDS(ein): [email protected] V 9@10 V mOhm; VDSmax: 25,0 V;
OPA820 TI10+5SOT-23, 8SOICÅä1/2å¢çç ̈³å®Ä1/2åªå£°çμååé¦è¿ç®æ3/4大å ̈
OPA699M TI10+8CDIP SBå¢ç +4 ç ̈³å®å®1/2å ̧¦éåæ3/4大å ̈
OPA699 TI10+8SOICOPA699ï1/4å®1/2å ̧¦é«å¢çéåæ3/4大å ̈
2N7002E NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V
2N7002K NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V
OPA698M TI10+8CDIP SBåä1/2å¢çç ̈³å®å®1/2å ̧¦éåæ3/4大å ̈

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207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM

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2N7002E NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V
2N7002K NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal TrenchMOS FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,3 A; RDS(ein): 4400@[email protected] mOhm; VDSmax: 60 V
BSN20 NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Feldeffekttransistor im N-Kanal-Verstärkungsmodus - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,173 A; RDS(ein): 15000@10V20000@5V mOhm;
PMBF170 NXP (Englisch)11+SOT-23Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管 Standalone-Ladegerät mit 750 mA Li-Ion in 2 x 2 DFN; Paket: DFN; Anzahl der Pins: 6; Temperaturbereich: -40 °C bis +125 °C
PMN50XP NXP (Englisch)10+PBSOT23-6Pæ²éTrenchMOSéå ̧ ̧ä1/2çæ°'å¹³åºæåºç®¡
BC847C NXP (Englisch)10+SOT-23äºæ管
SI2304DS NXP (Englisch)11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 1,7 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS(ein): 117@10V1
PMV117EN NXP (Englisch)11+SOT23-330 V uTrenchMOSå¢å1/4ºåºæåºæ¶ä1/2管é»è3/4çμå¹³ micro TrenchMOS(tm) enhanced logic level FET - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 2,5 A; Qgd (typisch): 1,35 nC; RDS(
BSH108 NXP (Englisch)11+SOT23-330 V Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Enhancement Mode Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; Innendurchmesser: 1,9 A; Qgd (typisch): 1,3 nC; RDS(ein): 1
BSH114 NXP (Englisch)11+SOT23-3Næ²éå¢å1/4ºååºæå¶ä1/2管N-Kanal Verstärkungsmodus Feldeffekttransistor - Konfiguration: Einzelner N-Kanal ; ID DC: 0,85 A; Qgd (typisch): 2,1 nC; RDS(ein): 500@10V
PMV213SN NXP (Englisch)11+SOT23-3100 V Næ²éå¢å1/4ºé»è3/4çμå¹³FET -é ç1/2®:åN-Kanal ID
PMV45EN NXP (Englisch)11+SOT23-3å¢å1/4ºé»è3/4çμå¹³FET -é ç1/2®:åN-channel IDåºå¡:ä ̧ç§;; Qgd(æå5.4):1.9æ°æ§; å ³ç³»åæ°æ®åº(å ̈); VDSmax mOhm:42@[email protected]:30ä1/4; å è£ :SOT23(TO-236ABç£å ̧¦å·); éè£ ç®±:smd
UDA1341TS NXP (Englisch)1041+SSOPEconomy Audio CODEC für MiniDisc (MD) Heimstereo und tragbare Anwendungen (å ̈嶮 ç ̈ç«ä1/2声å3/4®åç£çåä3/4¿æºåºç ̈ä ̧çç»æμåé³é¢ç1/4解ç å ̈)
BT131-800E NXP (Englisch)10+TO-92å ̄æ§ç¡ Triacs Logikpegel - IGT: 5 mA; Ist (RMS): 1 A; VDRM: 800 V; Gehäuse: SOT54 (TO-92); Behälter: Rollenpaket axial radial
BT131-800D NXP (Englisch)10+TO-92å ̄æ§ç¡ Triacs Logikpegel - IGT: 5 mA; Ist (RMS): 1 A; VDRM: 800 V; Gehäuse: SOT54 (TO-92); Behälter: Rollenpaket axial radial
74HC245D NXP (Englisch)06+SOP20 
BGO747/FC0 NXP (Englisch)09+HYB 
R13 FR V394 NXP (Englisch)09+QFP 
PCD80703HL/B NXP (Englisch)07+/08+TQFP64 
UAA3545 NXP (Englisch)07+LQFP32 

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