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IPI04N03LA
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IPI04N03LA

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  • 产åå称ï1/4åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: P-TO262-3; Pacchetto: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (on) (max) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (attivato) (massimo) (
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IPI04N03LA åçæ¶ä1/2管MOSFET a canale N (20V... 250V); Pacchetto: P-TO262-3; Pacchetto: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (on) (max) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (acceso) (max) (@4,5 V): 6,7 mOhm; ID (max): 80,0 A;

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IPI06CNE8N INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO262-3; Pacchetto: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 6,5 mOhm; RDS (attivato) (massimo)
IPI06CN10N INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO262-3; Pacchetto: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 6,5 mOhm; RDS (attivato) (massimo)
IPI05N03LA INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: P-TO262-3; Pacchetto: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 4,9 mOhm; RDS (attivato) (massimo) (
IPI05CNE8N INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO262-3; Pacchetto: I2PAK (TO-262); VDS (max): 85,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 5,4 mOhm; RDS (attivato) (massimo)
IPI05CN10N INFINEON2010+TO262-3åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO262-3; Pacchetto: I2PAK (TO-262); VDS (max): 100,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 5,4 mOhm; RDS (attivato) (massimo)
IPI03N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO262-3; Pacchetto: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (attivato) (massimo)
IPFH6N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK inverso (inverso TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 12,8 mOhm;
IPF13N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK inverso (inverso TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 12,8 mOhm;
IPF10N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK inverso (inverso TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 10,4 mOhm;
IPF09N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK inverso (inverso TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 8,8 mOhm;

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RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+IMMERGERECondensatore: ceramico, 4,7 nF, 1 kV, U2J, ±5%, THT, 5 mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+IMMERGEREè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 Connettori AB24+è¿æ¥å ̈Connettore circolare MIL Spec ER 5C 5#16S SKT PLUG
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Condensatore: ceramico, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 Elettronica JAE24+è¿æ¥å ̈CONNETTORE CONN R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
Codice C-1106437 Connettività TE24+è¿æ¥å ̈Accessori per connettori Cappuccio in alluminio pressofuso Pezzo sciolto
KH208-8 Vitrohm24+IMMERGERERegione, 100 Milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, Conduttori Assiali, Filo Avvolto, Potenza (Alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+IMMERGERE©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Tecnologie energetiche Amphenol24+è¿æ¥å ̈309 Connettore,3P+N+T / 5W - 60A - Connettore - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Cablaggio Hubbell Premise24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, INGRESSO, 3P4W, 30A 3P 480V, 4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Connettore circolare Connettore Spina Dimensione 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈relè - Plug-in, 4 poli, bobina CA
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§çμå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 Connettori AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 Connettori AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 Connettori AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 Connettori AB24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 Iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£

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IPI03N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO262-3; Pacchetto: I2PAK (TO-262); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (attivato) (massimo)
IPFH6N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK inverso (inverso TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 12,8 mOhm;
IPF13N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK inverso (inverso TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 12,8 mOhm;
IPF10N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK inverso (inverso TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 10,4 mOhm;
IPF09N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK inverso (inverso TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 8,8 mOhm;
IPF06N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 Connettore circolare; Materiale del corpo:Alluminio; Serie: PT06; Numero di contatti:61; Dimensione guscio connettore: 24; Terminazione di collegamento: crimpare; Circolare
IPF05N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK inverso (inverso TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (on) (max) (@10V): 5,3 mOhm;
IPF04N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK inverso (inverso TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 4,0 mOhm;
IPDH9N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 9,2 mOhm; RDS (attivato) (massimo) (
IPDH6N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 6,0 mOhm; RDS (attivato) (massimo) (
IPDH5N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 5,2 mOhm; RDS (attivato) (massimo) (
IPDH4N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (on) (max) (@10V): 4,2 mOhm; RDS (attivato) (massimo) (
IPD78CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 78,0 mOhm; RDS (attivato) (massimo)
IPD64CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 64,0 mOhm; RDS (attivato) (massimo)
IPD49CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (on) (max) (@10V): 49,0 mOhm; RDS (attivato) (massimo)
IPD33CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 33,0 mOhm; RDS (attivato) (massimo)
IPD25CNE8N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 25,0 mOhm; RDS (attivato) (massimo)
IPD25CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 25,0 mOhm; RDS (attivato) (massimo)
IPD20N03L INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 20,0 mOhm; RDS (attivato) (massimo)
IPD16CNE8N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 MOSFET a canale N (20Vâ¦250V); Pacchetto: PG-TO252-3; Pacchetto: DPAK (TO-252); VDS (max): 85,0 V; RDS (acceso) (massimo) (@10V): 16,0 mOhm; RDS (attivato) (massimo)

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