ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿ > åºæåºç®¡
IPD25CNE8N
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IPD25CNE8N

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产åå称ï1/4åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 25.0 mOhm; RDS (på) (max)
  • ååï1/4INFINEON
  • ç产æ¹å·ï1/42010+
  • å°è£ ï1/4SOT-252
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/416000
  • æä1/2订è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IPD25CNE8Nçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IPD25CNE8N åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20V... 250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 25.0 mOhm; RDS (på) (max) (@4.5V): -; ID (max): 35,0 A

ä ̧IPD25CNE8Nç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IPDH4N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 4.2 mOhm; RDS (på) (max) (
IPD78CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 78.0 mOhm; RDS (på) (max)
IPD64CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 64.0 mOhm; RDS (på) (max)
IPD49CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 49.0 mOhm; RDS (på) (max)
IPD33CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 33.0 mOhm; RDS (på) (max)
IPD25CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 25.0 mOhm; RDS (på) (max)
IPD20N03L INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 20.0 mOhm; RDS (på) (max)
IPD16CNE8N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 85,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 16.0 mOhm; RDS (på) (max)
IPD16CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 16.0 mOhm; RDS (på) (max)
IPD144N06NG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Tillverkning Co Ltd24+çμ容Kondensator: keramisk, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈ANSLUTNINGSHUVUD R / A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Bulk (Alt: A22NNBGMNWAG101NN)
C-1106437 TE-anslutning24+è¿æ¥å ̈Connector Tillbehör Huva Gjuten Aluminium Lös Stycke
KH208-8 Vitrohm24+DOPPAMotstånd, 100 milliohm, ï¿1/2 10%, 5 W, axiell, trådlindad, effekt (alt: KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amfenol positronisk23+DOPPA©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈309 Kontakt,3P+N+E / 5W - 60A - Anslutning - 277/480V keway 7h,IP67
HBL430B7W Hubbell Premise Ledningar24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, INLOPP, 3P4W, 30A 3P 480V, 4X/69K
621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈Cirkulär kontakt Kontakt Storlek 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈relä - Plug-in, 4-polig, AC-spole
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§çμå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 AB-kontakter23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 AB-kontakter23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 AB-kontakter23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 AB-kontakter24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 Iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Enfas styr- och isoleringstransformator
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16-BITARS 512KB FLASH 100QFP

INFINEONåç产åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IPD25CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 25.0 mOhm; RDS (på) (max)
IPD20N03L INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 20.0 mOhm; RDS (på) (max)
IPD16CNE8N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 85,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 16.0 mOhm; RDS (på) (max)
IPD16CN10N INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 16.0 mOhm; RDS (på) (max)
IPD144N06NG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管
IPD13N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 platt / bandkabel; Antal ledare: 10; Avstånd mellan tonhöjder: 0,05 tum; Ledare Storlek AWG:28; Nej. Trådar x Sträng Storlek: 7 x 36; Ledarmaterial: C
IPD135N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 13.5 mOhm; RDS (på) (max) (
IPD12CNE8N INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 85,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 12.4 mOhm; RDS (på) (max) (
IPD12CN10N INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 100,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 12.4 mOhm; RDS (på) (max)
IPD10N03LA INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 10.4 mOhm; RDS (på) (max) (
IPD09N03LB INFINEON2010+TO252-3åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 9.1 mOhm; RDS (på) (max) ( @
IPD090N03LG INFINEON2010+TILL-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 9.0 mOhm; RDS (på) (max) ( @
IPD06N03LB INFINEON2010+TILL-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 30,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 6.1 mOhm; RDS (på) (max) ( @
IPD06N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 5.1 mOhm; RDS (på) (max) ( @
IPD060N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 5.1 mOhm; RDS (på) (max) ( @
IPD05N03LB INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 5.1 mOhm; RDS (på) (max) ( @
IPD05N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 5.1 mOhm; RDS (på) (max) ( @
IPD04N03LB INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 3.2 mOhm; RDS (på) (max) ( @
IPD04N03LA INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 3.2 mOhm; RDS (på) (max) ( @
IPD040N03LG INFINEON2010+SOT-252åçæ¶ä1/2管 N-kanal MOSFET:ar (20Vâ¦250V); Förpackning: PG-TO252-3; Förpackning: DPAK (TO-252); VDS (max): 25,0 V; RDS (på) (max) (@10V): 3.2 mOhm; RDS (på) (max) ( @

åç±»æ£ç'¢

Copyright chip100.com © 2010-2011 MCCT粤ICPå¤14056028å·