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IPD04N03LB
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IPD04N03LB

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  • 产åå称ï1/4® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 3,2 mOhm ; RDS (activé) (max) ( @
  • ååï1/4INFINEON
  • ç产æ¹å·ï1/42010+
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IPD04N03LB åçæ¶ä1/2管MOSFET à canal N (20V... 250 V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 3,2 mOhm ; RDS (activé) (max) (@4,5 V) : 5,1 mOhm ; ID (max.) : 90,0 A

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IPD060N03LG INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 5,1 mOhm ; RDS (activé) (max) ( @
SB305G SEPT.10+TREMPER 
IPD05N03LB INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 5,1 mOhm ; RDS (activé) (max) ( @
IPD05N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 5,1 mOhm ; RDS (activé) (max) ( @
SB158W LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ’æμå ̈
IPD04N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 3,2 mOhm ; RDS (activé) (max) ( @
IPD040N03LG INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 3,2 mOhm ; RDS (activé) (max) ( @
SB158M LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ’æμå ̈
Réf. SB158G LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ’æμå ̈
Réf. SB158 SEP/TSC11+ROHSDIP-4æ¡¥å1/4æ’æμå ̈

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RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Condensateur : céramique, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Electronics24+è¿æ¥å ̈CONNECTEUR CONN R/A 34POS 2.54MM
A22NN-BG-NWA-G101-NN OMRON Corporation24+æé®ASSM, FG, PLAS BZL, WHTE, 2 NO - Vrac (Alt : A22NNBGMNWAG101NN)
Réf. C-1106437 Connectivité TE24+è¿æ¥å ̈Accessoires de connecteur Capot en aluminium moulé sous pression Pièce détachée
KH208-8 Vitrohm24+TREMPERRésistance, 100 milliohms, 1/2 10%, 5 W, à sorties axiales, bobinées, puissance (Alt : KHS500KB-AX-R1AA)
GAP26MDS5T0000 Amphenol Positronic23+TREMPER©ç å1/2¢ MIL è§æ 1/4è¿æ¥å ̈
Référence EE046-T11 å3/4·å1/2E+E24+æ ̈¡åå·åæ£æμ仪
A309560C7W Amphenol Energy Technologies24+è¿æ¥å ̈Connecteur 309, 3P+N+E / 5W - 60A - Connecteur - 277/480V keway 7h, IP67
HBL430B7W Câblage des locaux de Hubbell24+è¿æ¥å ̈PS, IEC, ENTRÉE, 3P4W, 30A 3P 480V,4X/69K
Référence 621N-18F-10-6S Amphenol Corporation24+è¿æ¥å ̈connecteur circulaire connecteur connecteur taille 10
LV100-4000/SP6 è±å§24+ä1/4 æå ̈çμæμä1/4 æå ̈å3/4·å1/2ååä ̧æè'§æºä1/4å¿ä3/4åºä ̧
D-U307-KLS Mors Smitt24+继çμå ̈relais - Enfichable, 4 pôles, bobine AC
TDB4-U204-C Mors Smitt24+继çμå ̈延æ¶ç»§çμå ̈
ABCIRH01RC2214PCNF80M32V0 Connecteurs AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC2214PCWF80M32V0 Connecteurs AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
ABCIRH01RC1812PCNF80M32V0 Connecteurs AB23+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å¥è£
AB0521001412PN00 Connecteurs AB24+è¿æ¥å ̈åå1/2¢è¿æ¥å ̈, AB05, MIL-DTL-26482 Iç³»å, å¢å£å®è£ æ座, 12 触ç¹, çæ¥å1/4è, å¡å£
TM-I2000/115-230P ABB24+ååå ̈Transformateur de contrôle et d’isolement monophasé
C25-1AX-H13-N-HB-L HAIMOOO24+æ§å¶æææ§å¶ææ
F3069F25V Renesas23+QFP100IC MCU 16BIT 512KB FLASH 100QFP

INFINEONåç产åæ ̈è


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IPD04N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 3,2 mOhm ; RDS (activé) (max) ( @
IPD040N03LG INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 3,2 mOhm ; RDS (activé) (max) ( @
IPD03N03LB INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 3,2 mOhm ; RDS (activé) (max) ( @
IPD03N03LA INFINEON2010+SOT-252® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO252-3 ; Paquet : DPAK (TO-252) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 3,2 mOhm ; RDS (activé) (max) ( @
IPBH6N03LA INFINEON2010+TO-263® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO263-3 ; Paquet : D2PAK (TO-263) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 6,2 mOhm ; RDS (activé) (max) (
IPB80N06S2L11 INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Channel MOSFET (20Vâ¦250Vï1/4
IPB70N10SL16 INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Channel MOSFET (20Vâ¦250Vï1/4
IPB47N10S33 INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Channel MOSFET (20Vâ¦250Vï1/4
IPB26CNE8N INFINEON2010+TO-263® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO263-3 ; Paquet : D2PAK (TO-263) ; VDS (max) : 85,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 26,0 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPB26CN10N INFINEON2010+TO-263® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO263-3 ; Paquet : D2PAK (TO-263) ; VDS (max.) : 100,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 26,0 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPB16CNE8N INFINEON2010+TO263-3-2® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO263-3 ; Paquet : D2PAK (TO-263) ; VDS (max) : 85,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 16,2 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPB16CN10N INFINEON2010+TO263-3-2® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO263-3 ; Paquet : D2PAK (TO-263) ; VDS (max.) : 100,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 16,0 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPB14N03LA INFINEON2010+TO263-3-2åçæ¶ä1/2管 MOSFET à canal N (20V... 150 V)
IPB13N03LB INFINEON2010+TO263-3-2åçæ¶ä1/2管 MOSFET à canal N (20V... 150 V)
IPB12CNE8N INFINEON2010+TO-263® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO263-3 ; Paquet : D2PAK (TO-263) ; VDS (max) : 85,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 12,9 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPB12CN10N INFINEON2010+TO-263® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO263-3 ; Paquet : D2PAK (TO-263) ; VDS (max.) : 100,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 12,9 mOhm ; RDS (activé) (max.)
IPB11N03LA INFINEON2010+TO-263® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO263-3 ; Paquet : D2PAK (TO-263) ; VDS (max) : 30,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 9,6 mOhm ; RDS (activé) (max) (
IPB10N03LB INFINEON2010+TO-263® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO263-3 ; Paquet : D2PAK (TO-263) ; VDS (max) : 30,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 9,6 mOhm ; RDS (activé) (max) (
IPB09N03LA INFINEON2010+TO-263® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO263-3 ; Paquet : D2PAK (TO-263) ; VDS (max) : 25,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 8,9 mOhm ; RDS (activé) (max) (
IPB08CNE8N INFINEON2010+TO-263® MOSFET à canal N (20Vâ¦250V) ; Paquet : PG-TO263-3 ; Paquet : D2PAK (TO-263) ; VDS (max) : 85,0 V ; RDS (activé) (max) (@10V) : 8,2 mOhm ; RDS (activé) (max) (

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