ä ̧»é¡μ > 产åä ̧å¿> åºæåºç®¡
IPB09N03LA
产åå3/4çä» ä3/4åè
欢è¿ç'¢å产åè ̄¦ç»èμæ

IPB09N03LA

  • æå±ç±»å«ï1/4åºæåºç®¡
  • 产ååç§°ï1/4åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (
  • ååï1/4INFINEON
  • ç产æ¹å·ï1/42010+
  • å°è£ ï1/4TO-263
  • åºåç¶æï1/4æåºå
  • åºåéï1/48600
  • æä1/2袮 è'éï1/41
  • è ̄¦ç»èμæï1/4点击查找IPB09N03LAçš„pdf资料
  • 点击询价
联系我们 在线客服1 在线客服2 点击发送邮件
  • 产åä»ç»

IPB09N03LA åçæ¶ä1/2管N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): 15,1 mOhm; Zulässigkeit (max.): 50,0 A;


IPB017N08N5ATMA1


IPB024N08N5ATMA1


IPB042N10N3GATMA1


IPB035N08N3GATMA1


IPB049NE7N3GATMA1


IPB015N08N5ATMA1


IPB065N15N3GATMA1


IPB029N06N3GATMA1


IPB073N15N5ATMA1


IPB031N08N5ATMA1


IPB017N06N3GATMA1


IPB020N10N5ATMA1


IPB049N08N5ATMA1


IPB034N06N3G


IPB052N04NG


IPB051NE8NG


IPB080N03LGATMA1


IPB03N03LBG


IPB097N08N3GATMA1


IPB093N04LG


IPB022N04LG


IPB022N04LGATMA1


IPB05N03LA


IPB075N04LG


IPB048N06LG


IPB03N03LAG


IPB050N06NGATMA1


IPB080N03L G


IPB067N08N3GATMA1


IPB081N06L3GATMA1


IPB065N10N3GATMA1


IPB020N04NGATMA1


IPB090N06N3 G


IPB020N04N G


IPB035N08N3 G


IPB027N10N5ATMA1


IPB024N10N5ATMA1


IPB060N15N5ATMA1


IPB083N10N3 G


IPB027N10N3GATMA1


IPB026N06N


IPB031N08N5


IPB029N06N3 G


IPB049NE7N3 G


IPB034N06L3GATMA1


IPB029N06N3GE8187ATMA1


IPB034N03LGATMA1


IPB054N08N3GATMA1


IPB017N06N3 G


IPB072N15N3G


IPB039N10N3G


IPB011N04NG


IPB014N06N


IPB083N10N3G


IPB055N03LGATMA1


IPB009N03LG


IPB016N06L3G


IPB017N06N3G


IPB017N10N5


IPB023N06N3G


IPB035N08N3G


IPB03N03LA


IPB042N03LG


IPB042N10N3G


IPB06N03LA


IPB07N03L


IPB037N06N3 G


20-1B06IPB010RC-P955A40


20-1B06IPB010RC01-P955A45


20-1B06IPB010RC01-P955A45-/3/


20-1B06IPB004RC-P952A40


20-1B06IPB004RC01-P952A45


20-PB06IPB010RC-P955A40Y


20-1B06IPB010RC02-L815A49


20-1B06IPB006RC01-P955A45


20-1B06IPB010RC03-P955A65


20-1B06IPB006RC01-P953A45


IPB038N12N3G


IPB054N08N3G


IPB015N04LG


IPB072N15N3 G


IPB025N10N3G


IPB017N10N5ATMA1


IPB044N15N5


IPB09N03LA


IPB011N04LG


IPB019N08N3


IPB036N12N3-G


IPB020N04N


IPB054N06N3GATMA1


IPB052N04N G


IPB065N03LG


IPB037N06N3GATMA1


K4H561638H-ZI/PB0


K4H561638H-UI/PB0


IPB031NE7N3 G


IPB009N03LGXT


IPB011N04NGXT


IPB054N08N3GX

ä ̧IPB09N03LAç ̧å ³çICè¿æï1/4


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
SB154M LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
IPB12CNE8N INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,9 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPB12CN10N INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 12,9 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPB11N03LA INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPB10N03LB INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 30,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 9,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPB08CNE8N INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPB08CN10N INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,5 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPB075N150N3 INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管
IPB06N03LB INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT06; Anzahl der Kontakte:55; Größe der Steckerschale: 22; Anschluss: Crimpen; Zirkulär Sie
IPB06N03LA INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT06; Anzahl der Kontakte:55; Größe der Steckerschale: 22; Anschluss: Crimpen; Zirkulär Sie

çé ̈æç'¢


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
KPSE06J14-19P ITT24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder KPSE 19C 19#20 STIFT STECKER
W-1-005-4STUD T&M24+DIPSERIES W - Bolzeneingang - 4 Bolzen
ABBH2214SDAM AB Steckverbinder2024+è¿æ¥å ̈è¿æ¥å ̈å°3/4管
Nr. C193A/24EV-U1 æ²å°ç¹å®25+DIPSpannung 1100v elektrischer Strom 50Aæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
Nr. C195A/24EC-U2 æ²å°ç¹å®25+DIPæ¥è§¦å ̈/ä1/4å¿æ ̧ éå¿«æ·äº¤ä»
D-U204-E Mors Smitt24+DIPç¬æ¶ç»§çμå ̈
PW620-18d/2S/R/KS135 FSG24+DIPStellungsferngeberä1/2ç1/2®ä1/4 æå ̈çμä1/2å ̈
ST1-DC12V-F Elektronische Komponenten von Panasonic24+DIPLeistungsrelais 12VDC 5DC/8AAC SPST-NO/SPST-NC (31mm 14mm 11.3mm) THT
MER1S1505SC Murata Power Lösungen24+DIPDC DC WANDLER 5V 1W
P783-Q24-S5-S CUI Inc24+DIPDC DC WANDLER 5V 15W
9001-18321C00A Oupiin24+è¿æ¥å ̈DIN41612 Half R Buchse 48 Pin
9001-18481C00A Oupiin24+è¿æ¥å ̈DIN41612 Half R Buchse 48 Pin
CIR013106T01031819SCNP0406 ITT Interconnect-Lösungen2023+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder
CIR013106T01031819SCYP0406 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder
110IMX35D12D12-8G Bel Power Lösungen24+ç»§çμå ̈DC-DC-WANDLER 12V 12V 12V 35W
SF400-1F æ³å1/2å©å¥24+ç»§çμå ̈STECKDOSENSOCKEL FÜR EISENBAHNEN - MONTAGEART H
UTS6JC10E6S SOURIAU-SONNENBANK23+è¿æ¥å ̈CONN PLUG FMALE 6P GOLD SLDR CUP
DPX2ME-A106SA106S-34B-0001 ITT22+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL-Steckverbinder
DPX2MEA106PA106P-33B-0401 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈Conn Rack und Panel ARINC 404 SKT/SKT (106/106)Signal POS Crimp ST Panel
ACB1/PG-4S-S34 VERSCHIEDENES24+è¿æ¥å ̈VERBINDER

INFINEONåçäº§åæ ̈è


åå·ååæ¹å·å°è£è ̄'æ
IPB08CNE8N INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPB08CN10N INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 8,5 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPB075N150N3 INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管
IPB06N03LB INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT06; Anzahl der Kontakte:55; Größe der Steckerschale: 22; Anschluss: Crimpen; Zirkulär Sie
IPB06N03LA INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 Rundsteckverbinder; Körpermaterial: Aluminium; Serie:PT06; Anzahl der Kontakte:55; Größe der Steckerschale: 22; Anschluss: Crimpen; Zirkulär Sie
IPB06CNE8N INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,2 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPB06CN10N INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 6,5 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPB05N03LB INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPB05CN10N INFINEON2010+PG-TO263-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,4 mOhm; RDS (ein) (max.)
IPB051NE8N INFINEON2010+PG-TO263-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) (
IPB04N03LB INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 -Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,9 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPB04N03LA INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 -Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,9 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPB04CN10N INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V
IPB03N03LB INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB03N03LA INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB037N06N3 INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB030N08N3 INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-7; Gehäuse: D2PAK 7-polig (TO-263 7-polig); VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (ein) (ma
IPB027N10N3 INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V
IPB025N08N3 INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB021N06N3G INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)

åç±»æ£ç'¢