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IPB051NE8N
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IPB051NE8N

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  • 产åå称ï1/4åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) (
  • ååï1/4INFINEON
  • ç产æ¹å·ï1/42010+
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IPB051NE8N åçæ¶ä1/2管N-Kanal-MOSFETs (20V... 250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 85,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,1 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V): -; Bezeichnung (max): 100,0 A

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IPB05N03LB INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 4,6 mOhm; RDS (ein) (max.) (
SB154G SEP/TSC11+ROHDIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
IPB05CN10N INFINEON2010+PG-TO263-3åçæ¶ä1/2管 N-Kanal-MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 5,4 mOhm; RDS (ein) (max.)
Nr. SB154 LTSEP09+DIP-4æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
SB152W LTSEP09+DIP-4Åç ̧æ¡¥å1/4æ'æμå ̈
IPB04N03LB INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 -Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,9 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPB04N03LA INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 -Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,9 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPB04CN10N INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V
IPB03N03LB INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB03N03LA INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)

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207444-9 TE2023+è¿æ¥å ̈CONN HEADER VERT 18POS 5MM
Nr. Z52929 ITT24+è¿æ¥å ̈Standard-Rundsteckverbinder CIR 3C 3#12 FR PIN RECP
JAE. JIT. OCHSE-16 JAE Elektronik2023+è¿æ¥å ̈16#ééå ̈
RCS20M-12RD28 SOURIAU-SONNENBANK2023+è¿æ¥å ̈Zirkuläre MIL-Spezifikationskontakte CONTACT
PW620-41M5kΩ129 FSG24+çμä1/2å ̈PW620-41 M 5k Ω/129°Çμä1/2Å ̈
CU-U-201-GE Mors Smitt24+继çμå ̈继çμå ̈
FRCIR06-32-8P-F80-T108 ITT Interconnect-Lösungen24+è¿æ¥å ̈CIR 30C 24#16 6#12 STECKER
Artikel-Nr.: SPCI-001-500 欧米è24+DIPè£ ̧ççμå¶çº¿ï1/4JN ï1/4线è1/2'ï1/4 | 欧米è éç»ç1/4 T/C 线ï1/4ç»ç'å3/4ï1/4J å ï1/4-ï1/4ï1/4500' çμç1/4ï1/450 AWGï1/40 °C è³ 315 °Cï1/432 °F è³ 600 °Fï1/4ï1/4SPCI ç³»åï1/4线è1/2"
ET-JL06-18 JAE Elektronik2023+å·¥å ·æééå·¥å ·
JL06-28-SONSTIGES JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈27P
LRC-LRF2512LF-01-R005-F TT23+2512Strommesswiderstände - SMD 2 Watt .005 Ohm 1%
ABCIRH06T2214SCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈ABCIRHç³»åè¿æ¥å ̈ç»ä»¶ å ̈æ°åè£ è¿å£ ç°è'§
ABCIRH00T2214PCWF80M32V0 AB Steckverbinder25+è¿æ¥å ̈onnector Reverse Bajonett Kupplung Rund RCP 14S-5 ST Kastenhalterung - Bulk
ABB1240KLKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
ABB1240KPKF80P3 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Kontaktstift Größe 12. AWG 40 Draht
RDE7U3A472J4K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+DIPKondensator: Keramik, 4,7nF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
C195S/24EV-U2 æ²å°ç¹å®24+DIPè1/2 ̈éè¡ä ̧ä ̧ç ̈æ¥è§¦å ̈C195S/24EV-U2 ç°è'§ç¹ä»·åºå2000åª
ABCIRHSE06T16S8SCNF80M32V0 AB Steckverbinder24+è¿æ¥å ̈Zirkulärer MIL Spec Steckverbinder ER 5C 5#16S SKT STECKER
RDE7U3A150J2K1H03B Murata Manufacturing Co Ltd24+çμ容Kondensator: Keramik, 15pF, 1kV, U2J, ±5%, THT, 5mm
PS-34PE-D4LT1-LP1 JAE Elektronik24+è¿æ¥å ̈STECKLEISTE R/A 34POS 2.54MM

INFINEONåç产åæ ̈è


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IPB04N03LB INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 -Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,9 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPB04N03LA INFINEON2010+TO-263åçæ¶ä1/2管 -Kanal MOSFETs (20Vâ¦250V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,9 mOhm; RDS (ein) (max.) ( @
IPB04CN10N INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,9 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V
IPB03N03LB INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB03N03LA INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 25,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB037N06N3 INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB030N08N3 INFINEON10+TO-263N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-7; Gehäuse: D2PAK 7-polig (TO-263 7-polig); VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 3,0 mOhm; RDS (ein) (ma
IPB027N10N3 INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 100,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,7 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V
IPB025N08N3 INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 80,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,5 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB021N06N3G INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB021N04N INFINEON10+TO-263-7N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 2,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB017N06N3 INFINEON10+TO-263-7N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-7; Gehäuse: D2PAK 7-polig (TO-263 7-polig); VDS (max): 60,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,7 mOhm; RDS (ein) (ma
IPB015N04N INFINEON10+TO-263-3N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-3; Gehäuse: D2PAK (TO-263); VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,4 mOhm; RDS (ein) (max.) (@4,5 V)
IPB011N04N INFINEON11+TO-263-7N-Kanal-MOSFETs (20 V â 250 V); Gehäuse: PG-TO263-7; Gehäuse: D2PAK 7-polig (TO-263 7-polig); VDS (max): 40,0 V; RDS (ein) (max.) (@10V): 1,1 mOhm; RDS (ein) (ma
FDP047N10 INFINEON11+TO-220100V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
FDP032N08 INFINEON11+TO-220AB75V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
FDP025N06 INFINEON11+TO-220-360V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-220; Anzahl der Pins: 3; Behälter: Schiene
FDB2532 INFINEON11+TO-263150 V N-Kanal UltraFET-Trench-MOSFET; Gehäuse: TO-263(D2PAK); Anzahl der Pins: 2; Behälter: Tape & Reel
FDB047N10 INFINEON11+TO-263100V N-Kanal PowerTrench MOSFET; Gehäuse: TO-263(D2PAK); Anzahl der Pins: 3; Behälter: Tape & Reel
BUZ73 INFINEON11+TO-220N-Kanal-MOSFETs (20V... 150V)

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